大家好、团队、
我对 LVT 系列在 ICC、IC 电源电流方面的基本结构有疑问。 我检查了 AVC (高级极低压 CMOS)基于 CMOS 逻辑 、LVT (低压 BiCMOS 技术)基于 BiCMOS (TTL+CMOS)逻辑。
我可以看到 ICC 因所连接的输出状态而异。 对于 AVC 系列、无论输出状态如何、ICC 都是相同的。 CMOS 系列和 BiCMOS 系列之间导致此 ICC 差异的区别是什么？
感谢您的回答。
图10显示了 ABT 输出级的简化版原理图。 数据被传输到 M1的栅极、用作一个简单的电流开关。 当 M1导通时、电流流经 R1和 M1到达 Q4的基极、使其导通并将输出驱动为低电平。 同时、Q2基极被拉低、从而关闭上部输出。 对于低电平到高电平的转换、M1的栅极必须驱动为低电平、从而关闭 M1。 流经 R1的电流为 Q2的基极充电、将其拉高并导通由 Q2和 Q3组成的达林顿对。 同时、由于其基极驱动电源切断、Q4关断、输出从低电平切换到高电平。 R2用于限制高电平状态下的输出电流、D1是一种阻断二极管、用于防止特定断电应用中的反向电流。
需要将 ABT 器件的较高电源电流用作双极晶体管的基极电流(Q2/Q3/Q4)。
高输出的 ICC 值如此低是一种测量伪影：Q2/Q3的基极电流不会流出 GND 引脚、而是流出输出引脚并流入负载、因此不会包含在 ICC 中。
