[参考译文] SN74LVC2G17：输入电源高于6.5V、并且有可能限制电流？

好的、我明白了。 不过、如果我测量输入端的电压、它不是24V、而是类似7.x V 的电压。因此、似乎存在某种限制。 这是否会导致电路故障或仍可接受？

再次感谢。

ESD 保护会将过高的正电压钳制到接地端。 但是、您的24V 测试信号的能量远高于 ESD 事件、并且可能损坏器件；其电气特性可能会降级。

为了保护器件、请使用齐纳/TL431将电压限制在6.5V 以下

您好！Dylan、

非常感谢您迄今为止的+ Clemens 反馈。

我们很可能会在设计的修订版本中集成更好的保护功能。 或-我们正在考虑将74LVC2G17替换为74HC2G17。 根据我的理解、这个似乎有集成的保护二极管在输入端供电-这样我们就不必更改 PCB /布局-只需更改 BOM。

不过、关于当前设计：您提到的是与 ESD 事件相比的能量。 ESD 具有更高的电压-这是肯定的、并且在短路放电事件期间也具有更高的电流。 当然、这只是一个很短的事件。 我们在输入端测量的7.x 电压(10k 电阻器的另一端为24V)似乎不会损坏输入晶体管的栅极氧化物-至少在几天/周内应用时不会损坏。 如果10k 不可靠、因为输入端的能量过高、会随时间推移而损坏-是否有一个较高的值(100k 或更高)会相对安全？ 只是为了了解我们离安全工作区有多远。

再次感谢您的帮助。

ESD 事件足够短、因此可由电容器吸收(这就是 ESD 保护通常涉及将电流分流到电源轨的原因)。

仅仅因为栅极氧化物似乎没有被损坏、并不意味着它实际上没有被损坏。 AHC/AHCT 设计人员指南指出：

必须避免输入电压大于7V、以免损坏输入级的栅极氧化物。 这种损坏不一定是永久性的、但会对电路的预期寿命产生不利影响。 AHC 器件的栅极氧化层 Å 仅200 μ m。 7V 的输入电压对应于栅极氧化层上350kV/cm 的场强。 虽然只在输入电压高于10V 时才会发生氧化物击穿、但电子以大于350kV/cm 的场强越来越多地进入栅极氧化物、从而影响晶体管的特性并导致故障。