[参考译文] SN74AUP3G17：在低温环境下使用这些施密特触发器；它们是否包含任何 BJT？

admin

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

器件型号：SN74AUP3G17

您好！

我的问题与主题行中的问题相同。当尝试在低温(低于10mK)下使用这些器件时、它们看起来会冻结、根本无法正常工作。这向我表明、该器件在电路中的某个位置包含 BJT、因为其他测试表明、纯数字 CMOS 电路不会以这种方式受到极低温度的影响。

是否有人可以确认该器件是否包含 BJT 或我是否遗漏了什么？是否有任何已知的低功耗施密特触发器可保证它们中根本没有 BJT？

非常感谢

0 admin 6 年多前

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

大家好、欢迎参加论坛！

这些器件不包含 BJT、但它们确实具有建议的工作温度、该工作温度在该冷温度下超出、因此我不希望它们工作。请参阅规格 TA 规格的数据表。

0 admin 6 年多前

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

感谢 Dylan 的确认、

尽管工作温度被严重违反、但我仍然希望它们能够正常工作、因为它们本质上是数字器件、而我们所做的其他测试表明、MOSFET 在这些温度下独立工作、以及 FPGA。

我将继续调查不同的想法、看看我们能做些什么。我想您没有建议在低温下使用施密特触发器？；)

再次感谢

Matt

0 admin 6 年多前

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

ESD 保护电路可能包含 BJT；AHC 系列器件记录了以下内容(我不知道 AUP 有多少不同)：

和 CMOS 器件包含寄生 BJT：

我怀疑您必须尝试从分立式 MOSFET 构建施密特触发器。

0 admin 6 年多前

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

您好、Matt、

如果您深入探究 CMOS 物理原理、则会发现寄生 BJT (正如 Clemens 所发布的)、但这也是您在 FPGA 中遇到的问题、因此我不知道这是什么问题。我希望我能提供更多的帮助，因为这听起来像是一个非常“酷”的项目；)但是即使我们的逻辑器件的额定空间应用的工作温度也不是那么低。

0 admin 6 年多前

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

感谢 Clemens 和 Dylan 为您提供帮助

确实存在寄生效应和 ESD 器件、但如果它们在低温下冷冻、它们应该看起来就像许多 GΩ Ω 的电阻器？不应使一切都完全死亡。

不过、考虑到这一点、我认为根据这些施密特触发器的确切架构、可能发生的情况是偏置电路中出现的某种情况超出了标称工作区域、因为我认为 PMOS 和 NMOS GM 之间的差异在低温下会被显著夸大、所以这可能是问题所在。

@Clemens、我认为您关于从分立式晶体管中构建触发器的建议现在已经摆在桌面上了！然后、我将能够全面检查设计、看看在寒冷的天气下会发生什么情况！

再次感谢您的帮助

Matt

逻辑（参考译文帖）(Read Only)