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[参考译文] LSF0204-Q1:开关饱和电平

Guru**** 670150 points
Other Parts Discussed in Thread: LSF0204
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/logic-group/logic/f/logic-forum/1252730/lsf0204-q1-switch-saturation-levels

器件型号:LSF0204-Q1
主题中讨论的其他器件:LSF0204

团队、

我很惊讶能够在数据表中找到有关此系列电平转换器的输入/输出开关饱和电平的更多数据。 来自 https://www.ti.com/lit/an/slva675b/slva675b.pdf 图4。 我猜、在同一文档的图2中描述的硬件配置中、我猜开关的开口大约是0.8V 到大约1.3V 结束:我是不是正确吗?

是否有办法在其他任何地方查找此信息?

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    对于 Vref_A 以下的电压、LSF 的工作方式与模拟开关类似。 (当电压高于 Vref_A 时、开关为开路、输出电压由上拉电阻器确定。)

    然而、LSF 并不是用于模拟信号。 数字低电平信号接近0V;数字高电平信号处于 Vref_A 或更高。 MOSFET 的阈值电压低于0.8V (请参阅数据表中的表8-2)、但与此无关。

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    克莱门斯,谢谢,阈值和饱和仍然是一个有趣的信息分享我发现。 您能否在上方的三角输入图上确认 GND 位于三角波形的底部?

    谢谢

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    根据下面的标签、两条曲线使用相同的刻度(1V)。 曲线顶部看起来是3.3V、曲线差异点接近1.8V。

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    克莱门斯,好的,谢谢。 如果 Bside 是输入,而 Bside 是输出,曲线是否看起来相同?

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    嗨、Olivier、

    是的、如果将 B 侧用作输入、将 A 侧用作输出、则此行为类似于(此器件是自动双向的、FET 的漏极/源极可以互换使用。  您还可以在 Logic Minute 视频系列中的正常工作期间的开关。

    此致、

    插孔  

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    谢谢观看视频、 最简单的设备通常是最难掌握的、令人疯狂。 所以在两个方向上典型的 FET 三次>B 作为 B.A 是0.8V。 我们能否根据老化/工艺变化/温度了解此参数的分布情况。

    这对于 TIer1来说至关重要、有助于证明他们的设计适用于汽车 OEM。

    谢谢  

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    嗨、Olivier、

    在数据表规格的范围内、因为它们的值是在数据表第8节中列出的测试条件下穿过 PVT 得出的。

    此致、

    插孔  

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    Jack、谢谢您能在数据表中指出它们吗? 谢谢

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    嗨、Olivier、

    可以在 TPLH 和 Tphl 等开关特性中查看规格。 0.8V 阈值电压本身未在数据表中指定-这是内部 FET 设计的一部分、因为它采用类似于二极管的配置、无需知道该 Vth 值即可运行器件。 RON 的值更重要、因为它们决定了时序规格并允许在输出端看到更低的 VOL 电平。

    此致、

    插孔  

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    谢谢观看视频、 最简单的设备通常是最难掌握的、令人疯狂。 所以在两个方向上典型的 FET 三次>B 作为 B.A 是0.8V。 我们能否根据老化/工艺变化/温度了解此参数的分布情况。

    这对于 TIer1来说至关重要、有助于证明他们的设计适用于汽车 OEM。

    [/报价]

    我同意-与大多数其他器件相比、此器件和类似器件会产生更多的技术问题。

    数据表中未指定0.8V 阈值电压本身-这是内部 FET 设计的一部分、因为它采用类似于二极管的配置、并且不需要知道此 Vth 值即可操作器件。 RON 的值更为重要、因为它们决定了时序规格、并允许输出端看到更低的 VOL 电平。

    我在这里同意 Jack 的观点、但我认为我可以更深入地了解您(大多数情况下)可以忽略此电路中的栅极阈值的原因。

    LSF010x 系列转换器仅包含 IC 中的晶体管(虚线框)、而 LSF0204包含的略多一些(红色框)。 通过忽略使能电路(因为它不会影响偏置)、偏置通道的200k Ω 电阻器和外部二极管连接在 LSF0204内部移动、因此无需使用外部偏置电路、使转换器更易于使用。

    由于通道晶体管位于同一个裸片上、因此我们可以预期它们的特性 在 PVT 中保持非常紧密的匹配、并且栅极阈值基本上可以在转换电路的公式中设计出来。 也就是说—假设 Vref_A 和 Vref_B 之间有足够的差异来提供足够的偏压——至少是 0.8 V:

    以数学方式讲得更多:

    偏置晶体管的栅极电压(相对于 GND 的参考值)为:

    ( EQ 1 ) V_G = VCCA +(V_tn + V_od)

    V_TN 为栅极阈值电压、V_od 为给定偏置条件下的过驱动电压。

    我们假设 V_od 非常小、因为我们仅在几微安处偏置、因此我们将其替换为零、得到:

    ( EQ 1a ) V_G = VCCA + V_TN

    查看任何其他通道晶体管、可以看到栅极电压是相同的(它们在内部连接在一起)、因此在确定其中一个通道晶体管的状态时、可以使用以下方法:

    ( EQ 2 ) V_GS = V_G - V_S

    V_G 与第一个栅极相同、V_S 是上图中 V (A1)和 V (B1)之间两个电压中的较低者。

    代入 EQ 1a 进入 EQ 2

    ( EQ 3 ) V_GS = VCCA + V_TN - V_S

    如果满足 eq 4、则器件处于截止状态:

    ( EQ 4 ) V_GS < V_TN

    副标题 EQ 3 进入 EQ 4

    VCCA + V_TN - V_S < V_TN

    从两侧减去 V_TN ...

    VCCA - V_S < 0

    并重新排列

    V_S > VCCA

    这很好地解释了器件的工作原理:如果输入高于 VCCA、nFET 会关闭;当输入低于 VCCA 时、nFET 会开启。

    V_TN 在实际转换中不起任何作用,除了 VCCA 和 VCCB 之间有足够的电压差来支持它(至少0.8V )。

    [/quote]