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器件型号：SN74LVC1G240 您好！
我们有一个有关预期 SN74LVC1G240行为的特定场景、我们想了解。
输出(Y)通过1兆欧下拉电阻和10 μ F (实际)电容连接到 nFET 的栅极。
初始状态：VCC = 3V、A 高电平(VCC + 0.5V)、/OE 连接到 A (如此高)、Y 低电平。
事件1：A 变为低电平(0V)。 /OE 跟随 A。Y 将尝试变为高电平。
问题1：SN74LVC1G240是否会难以为10uF 电容充电、或者是否可能受到浪涌电流的损坏？
事件2：事件1已发生、因此 A 和/OE 为低电平(0V)、Y 已设法变为高电平(VCC)。 现在、VCC 被拉至接地、在实践中最终会达到~0.6V。
问题2：SN74LVC1G240将不再将输出驱动为高电平、但我们是否可以预期 Y 变为高阻态、以便没有反向泄漏(唯一的泄漏与1兆欧姆电阻器以及任何电容器和 nFET 产生的泄漏相关)？
