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[参考译文] SN74LVC1G11：高电平输入电流和低电平输入电流

admin
Guru**** 1213530 points
Other Parts Discussed in Thread: SN74LVC1G11
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/logic-group/logic/f/logic-forum/1285966/sn74lvc1g11-high-level-input-current-and-low-level-input-current

器件型号：SN74LVC1G11

您好！

我   在数据表中找不到 SN74LVC1G11DCKR IC 的高电平输入电流和低电平输入电流范围。 请提供帮助。

谢谢、此致、

安诺普·瓦尔马姆

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    TI__Guru**** 1213530 points
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    MOSFET 不受电流控制、而是受电压控制。 输入电流主要是通过 ESD 二极管的泄漏电流、并在所有输入电压下指定为 II。

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    TI__Guru**** 1213530 points
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    谢谢您重播  

    我们已将与(SN74LVC1G11)门输出连接到16个并联与(SN74LVC1G11)门的输入。 那么如何计算扇出(基于电容)？

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    TI__Guru**** 1213530 points
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    输入电容约为3.5 pF。 为50 pF 的负载指定了3.3V 或5V 电源下的传播延迟、对应于大约14个栅极。 使用16个栅极(以及大约1 pF / cm 的额外迹线电容)会使边沿比指定速度慢一些。