[参考译文] LSF0108：低侧电压过高

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https://e2e.ti.com/support/logic-group/logic/f/logic-forum/1290061/lsf0108-voltage-on-low-side-too-high

器件型号：LSF0108

大家好、我正在从事一项使用5V 微控制器的设计、该微控制器需要连接到3.3V 存储器。为此、我添加了一组 LSF0108。出于测试目的、我没有任何元件连接到低端(A)、使用微控制器、我可以使用 GPIO 来设置每个 B 侧输入。当 GPIO 为低电平时、A 侧也为低电平、到目前为止一切正常。但是、当 GPIO 变为高电平(5V)时、A 侧变为大约4V。同样、这是在没有连接负载的情况下进行的。我正在使用的存储器芯片指定其输入电流最大值为1uA、因此我认为没有必要上拉。为了模拟该负载、我在 A 侧接地连接处添加了一个1.5M 的电阻器。然后电压降至3.5、最高3.8V。我恐怕要在 PCB 上焊接存储器芯片、因为较高的电压可能会损坏器件。那么、A 侧上的电压为什么如此高且未被钳位到3.3V 基准电压？

这是原理图：存储器 IC 为 CY14B104

2 年多前

0 admin 2 年多前

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REFA 和 REFB 处的电压是多少？

0 admin 2 年多前

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与上面的原理图中一样：低侧(refA)为3.3V、电阻器连接到高侧的+5V。但是、在电容器 C16 (以及在 REFB 引脚上)上、存在大约4.0V 的电压。

0 admin 2 年多前

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您好、Bert、

为 Vref_A 加电是什么？电源还是 LDO？如果是 LDO、您是否可以切换到电源并告诉我们这是否可以解决问题？

此致、

约什

0 admin 2 年多前

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VrefA 确实是由 LDO 供电的。我从 PCB 上移除了 LDO、转而连接了电源、这似乎有所不同。空载时为3.7V、负载为1.5M 时为3.4V
所有这些值都不是很"确定"。尽管只有几 mV、但它们似乎会持续变化。我认为正常电源轨不会出现这种情况。

0 admin 2 年多前

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您好、Bert、

LDO 无法灌入电流。通常情况下、LDO 会将电容器充电至高于所提供的电压。因此、您始终会看到大约为4V 的电压。

请确保电流不钳制。并且确保1.5M 电阻器已正确焊接。

此致、

约什

0 admin 2 年多前

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很抱歉、我不完全理解。您可以详细说明一下吗？我知道 LDO 无法灌入电流、但这就是问题所在、LDO 的输出是否也不会是4V？事实并非如此。

0 admin 2 年多前

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在正常运行期间、一个小电流流入 VREF_B 并流出 VREF_A。 (这些不是电源引脚、而是模拟偏置电压。)

LDO 无法灌入电流、因此如果没有其他器件在3.3V 电源上消耗一些功率、那么 VREF_A 电流将为电容器充电至更高的电压。为了防止这种情况、应在 VREF_A 和 GND 之间的大多数470 kΩ 处连接一个电阻器。

0 admin 2 年多前

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Vref_A 被连接到3.3V 电源轨(从而连接到 LDO)。电源轨上的电压不发生变化、保持在3.3V。但是、在3.3V 较高的电压下、"输出"侧_IS_。在3.3V 和 GND 之间添加470k 电阻器可将"输出"电压从约4.0V 降至约3.8V。

该设计有3个 LSF0108：16位地址、8位数据、所以我假设全部三个都添加到电容器的充电中？这是否意味着470k 必须降至其的1/3？

0 admin 2 年多前

TI__Guru**** 2529350 points

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原理图显示了单独的电容器(C17、C19)。在任何情况下、来自 VREF_A 引脚的电流会相加、因此您需要三个电阻器、或者只需要一个更小的电阻器。

EN 电压决定了输出钳位；EN 是 MOSFET 的栅极、因此输出钳位在大约比该值低0.7V (VGS_THRESHOLD)。 VREF_x/EN 电路可确保 EN 电压比 VREF_A 高大约0.7V。您看到的所有波动都应该反映在 EN 引脚上。

EN 电压是稳定的还是受信号的影响？

CY14B104在其输入端具有钳位二极管、因此如果 LSF 输出浮动更高、这一优势不会受到影响。

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