我对 IBIS 模型 C_Comp 值与数据表 C_IN 值的比较有一个一般问题。 我之所以提出这个问题、是因为我发现您的 IBIS 模型质量始终如一、但我注意到了一件事(来自许多供应商、 很多 IC 中、即使是 TI 的 IC、数据表 C_IN 值通常似乎是 IBIS 模型 C_Comp (根据情况加 C_pkg 或 C_pin)值的两倍、所以我想了解一下。
例如、在 SN74LV1T34缓冲器中、数据表给出 C_IN 为2pF 典型值、当 VCC = 3.3V 时、最大值为10pF。 但同一 VCC 的 IBIS 模型给出了 DBV 封装的 C_Comp 典型值为0.677pF、最小值为0.6725pF、最大值为0.6814pF、DCK 封装的 C_pkg 典型值为0.26256pF、最小值为0.24997pF、最大值为0.27952pF、最大值为0.2582pF、而 DCK 封装略低。 因此、无论是典型值还是最大值、最高不足1pF。 我知道数据表可能会有保护频带、但10倍的系数似乎有点多。 (这只是一个示例、我查看的所有其他 LVCMOS 器件都有类似的差异。)
我之所以提出这个问题、是因为在供应商不提供输入的情况下、有时我需要为输入创建 IBIS 模型。 我可以使用类似封装的封装寄生效应、因为这些寄生效应通常很小、不会产生显著的影响、但会使用 C_Comp 值吗？ 它与数据表 C_IN 值有何关系？ 例如、如果您没有为 LV1T34提供 IBIS 模型、我必须从数据表中创建一个模型、我猜在 C_pkg 处为0.25pF、C_comp 为1.5pF 类型、1.0pF 最小值、也许5pF 最大值。 与您所提供的 IBIS 模型中小于0.75pF 的值相比、这是一个很大的高值。
您能帮助我理解吗？ 鉴于我在多个供应商的多个器件中看到的差异很大、我认为我忽略了一些东西。 谢谢。
