This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] DRV8313:数据表说明

Guru**** 665180 points
Other Parts Discussed in Thread: DRV8313EVM, DRV8311, DRV8316
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/1073048/drv8313-datasheet-clarification

部件号:DRV8313
“线程: 测试”, “DRV8311”, “DRV8316”中讨论的其它部件

您好,团队正在寻找可能需要您帮助的详细信息。

数据表指出,UVLO 虚拟机的增长速度为6.3V (典型值)到8V (最大值)。 我希望能获得更多有关 UVLO 功能的信息。 您是否有关于虚拟机下降阈值的任何信息? 是否实施了滞后电路?

该芯片的启动时间是什么样子的? 基本上,UVLO VM 上升阈值到 H 桥实际开始响应 PWM 控制输入的时间是什么时候?

通过 H 形电桥的~8A 电流峰值会有什么影响? 是否存在潜在损坏问题?

假设电流峰值的占空比足够低,不会引起热问题,那么 FET 是否还有其他问题? 内部 OCP 感应电路如何? 我认为有内部实施的感应电阻器。

而通过 H 形电桥的电流峰值中设计师感到舒适的电流峰值有多高不会造成损坏。

谢谢你。

-标记

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Mark,您好!

    通常,我们的 DRV 设备会对 UVLO 的上升和下降实施滞后,但我在该设备中看不到 UVLO 的滞后。 我们可以在 DRV8313EVM 上测试这一点,以测试滞后。  

    启动时间应列为 twake,即超过 UVLO 上升后启用逻辑所需的时间。 不幸的是,电气规格没有显示太多信息,所以我的假设是 ENx/INX 输入与 OUTx 引脚上的输出相对应前1毫秒。   

    我认为过流通过 LS FET 上的 SENSE FET 感应,并在 tOCP 发生故障后配置为5-A 过流限制。 一种更好的方法是使用一个断路分流电阻器,该电阻器连接 PGGND1 - PGGND3,并将分流器连接到一个共接地,在该接地中,通过分流器的电压测量过流。  

    电流峰值取决于 PCB 的 VM,OUTx 引脚和 GND 处的电感量。 如果电感很高,电压和电流峰值可能会超过瞬变值,或导致通过 DV/dt 耦合器耦合到低端 FET 栅极。 如果是直射,OCP 限制应能保护设备和 FET 免受损坏。 保持在设备的推荐规格范围内,并保持良好的印刷电路板布局,可以降低造成损坏的风险。  

    如果 电压应用小于12V,我还建议使用 DRV8311;如果电压应用小于24V,则推荐使用 DRV8316。 这些是新型集成 MOSFET 驱动器,封装更小,温度额定值更高,峰值电流更大。 DRV8311已发布用于生产样品,DRV8316将在未来几周发布用于生产。  

    谢谢,
    亚伦