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部件号：DRV8711EVM “线程”中讨论的其它部件：DRV8711， CSD18531Q5A， 测试
DRV8711数据表中的高端栅极驱动器针脚电压(A1HS，A2HS，B1HS，B2H)的规格范围为-0.6V 至 VM+12V (见下文)。 
在模拟中，我们注意到，在驱动器开始生成输出脉冲之前，有一种情况似乎使 MOSFET 超出规格。 具体而言，当 VM => 40V (我们的系统为48V)时，高侧 MOSFET 的源电压可能为20V 或更大(即 1/2 * VM，或我们系统中的24V)-在这种情况下，如果栅极驱动电压为0V (或按照 DRV8711规格表所示降至-0.6V)，高端 MOSFET 上的 Vgs 将超过-20V (系统中为-24V)(请参阅下文)。 
市场上的大多数 MOSFET 的最大 Vgs 为+/-20V，这意味着在 VM 大于40V 时，大多数 MOSFET 的栅极驱动电压将超出规格。 特别是在评估板 DRV8711EVM 中，MOSFET 为 CSD18531Q5A，最大 Vgs 为+/-20V (见下文)。 
这条评估数据表明，VM 可能高达52V，但如果是这种情况，且高压侧浇口驱动电压为0V，则这些 MOSFET 超出规格。 我需要了解这块芯片中高侧栅极驱动引脚电压的特性，特别是必须能够明确地说，不会超过 MOSFET 的最大 Vgs +/- 20V。 是否有人能提供测试数据或操作原理，以确保这些高端 MOSFET 在运行过程中保持在技术规格范围内？
