[参考译文] DRV8328：与栅极驱动器 DRV8328兼容的 MOSFET 器件

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https://e2e.ti.com/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/1102047/drv8328-compatible-mosfet-device-with-gate-driver-drv8328

器件型号：DRV8328

你好

我将按照 TI 开发板 DRV8328AEVM 的设计材料设计 BLDC 驱动单元。我已经购买了栅极驱动器 DRV8328、理想情况下、我本来会购买与 TI 开发板(CSD18536KTTT)相同的 MOSFET 器件、但该器件缺货、很遗憾我找不到 TI 提供的器件。但是、我认为我已经从 Onsemi 找到了合适的器件。额定值与 CSD18536KTTT 类似、但一些参数不同。对于 CSD18536KTTT、栅源极阈值电压、栅极电荷和栅漏极电荷分别为2.2V、108nC 和14nC、而对于半功率器件、该值分别为4V、45nC 和7nC。因此、我选择的器件基本上具有更高的栅源阈值电压(4V 而非2.2V)、但栅极电荷更低(45nC 而非108nC)。您是否认为它仍可通过栅极驱动器 DRV8328进行控制？我应该选择什么外部栅极电阻值？我知道外部栅极电阻的选择是一个迭代过程、但根据所选的 MOSFET 和栅极驱动器器件、是否可以选择一个良好的 staring 值？

谢谢

Giorgio

2 年多前

0 admin 2 年多前

TI__Guru**** 1144750 points

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您好、Giorgio、

我认为产品页面上的某个位置可能有一个 MOSFET 栅极驱动计算器工具、但必须咨询我的团队成员以获取有关其位置的答案。

我想、作为初步回答、以下信息应该会有所帮助：

应用手册： https://www.ti.com/lit/an/slva714d/slva714d.pdf
通常、我们考虑栅极驱动电流对 MOSFET VDS 压摆率的影响
- 务必不要过快开启 MOSFET 通道、否则会出现过冲/下冲电压瞬变、从而导致 MOSFET 振铃和损坏。
- 因此、如果我们使用以下公式：T_Slew = Qgd / I_Source、我们可以实现合理的压摆时间(超过100纳秒)
- I_Source 可根据栅极驱动电压电源与固定内部上拉/下拉电阻和外部串联栅极电阻(Issource = V/R、其中 R 是总电阻)的组合进行评估。
由于 PCB 布局寄生效应等许多因素可能会影响压摆率、因此实验评估仍然很有用

MOSFET 压摆率和导通曲线：

内部电阻和拉电流/灌电流限制：

压摆率控制：

此致、
Andrew

0 admin 2 年多前

TI__Guru**** 1144750 points

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您好、Giorgio、

只是想在这里跟进、看看我之前的回答是否帮助解决了您的问题-

要重新迭代、应用手册的内容应提供大量有关根据压摆率计算选择组件的良好指导

我与一位同事进行了跟进、并表示我们目前没有可用的计算器工具、但在未来的评估中会记住这一点。

此致、
Andrew

0 admin 2 年多前

TI__Guru**** 1144750 points

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您好、Giorgio、

在这里跟进-请告诉我们我之前的回答是否解决了您的问题、如果是这样、请将主题标记为正确答案。

谢谢！

此致、
Andrew

电机驱动器（参考译文帖）

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