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[参考译文] DRV8305-Q1:VDS_OCP

Guru**** 657930 points
Other Parts Discussed in Thread: DRV8305, DRV8305-Q1
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/1081053/drv8305-q1-vds_ocp

器件型号:DRV8305-Q1
主题中讨论的其他器件:DRV8305

感谢您的支持。

我们的客户对 DRV8305NE 的 VDS_OCP 有疑问。

客户在 U 相(IC 的 A 相)的较低级短接了 FET 的漏源,并确认了 MOSFET 过流保护(VDS_OCP)的运行。

即使 VDRAIN-SHA 的电压在20us 内超过了155mV 的阈值、IC 也未检测到短路。(请参阅随附的 Excel 中的"波形"表)

造成这种情况的原因是什么?

有关寄存器设置、请参阅随附的 Excel 中的"控制寄存器"表。

e2e.ti.com/.../VDS_5F00_OCP.xlsx

此致、

库拉

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    您好、Kura-San、

    在寄存器中 TBLANK 和 TVDS 为1.75us、因此在检测到 VDS 之前至少为3.5us。  

    在下面圆圈区域中、VDS 似乎在切换、直到 Inha 转换为高电平大约5us 时才稳定。 您可以将 TBLANK 增加到3.5或7US 吗?

    VDS 应在 TBLANK 周期后跳闸。 检测到跳闸后、必须经过1.75us 的 TVDS 抗尖峰脉冲时间、并且仍必须检测到跳闸、才能导致 VDS 过流事件锁存关断。 您能否将 TVDS 降低至0us、以查看这是否有助于在消隐时间被忽略后继续工作?

    PCB 可能没有足够的电源或局部大容量电容来使 SHx 和 VDRAIN 在短路时能够以足够快的速度切换电流。 引入短路时、VDRAIN 和 SHX 会有很多振铃。 您能否尝试使用较低的电流进行测试、以查看振铃或过冲/下冲、以查看是否未正确监控 VDS 电压? 此外、测量 FET 上的 VDRAIN-SHX 电压而不是测试点可能有助于改善测量。  

    谢谢、
    Aaron

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    Aaron - San

    感谢您的支持。

    我们从客户那里获得了以下信息。

    当 TBLANK 为7US 时、VDS_OCP 不工作。
    当 TVDS 设置为0us 时、VDS_OCP 正常工作。
    这在6V、12V、16V 时得到确认。

    客户希望确认以下两点。

    VDS_OCP 的工作是否存在 VDRAIN 电压限制?
    例如、如果 VDRAIN 电压从10V 降至1V、是否无法在电路中检测到 VDS 过流、或者是否会提高检测阈值?

    如果 VDRAIN 的电压有限制、请告诉我 VDRAIN 可以检测到的过流电压有多少伏特。

    2.如果振铃持续时间超过 TBLANK 周期并在高于 VDS_LEVEL 的电压下收敛、VDS_OCP 是否检测到短路、如所附的图所示?

    e2e.ti.com/.../1614.waveform.xlsx

    请告诉我们。

    此致、

    库拉

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    你好,库拉-圣

    很高兴听到 TVDS = 0us 工作过。  

    [~引语 userid="255273" url="支持/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forume/101081053/drv8305-Q1-VDS_OCP/4007342#4007342"]1. VDS_OCP 的工作是否存在 VDRAIN 电压限制?
    例如、如果 VDRAIN 电压从10V 降至1V、是否无法在电路中检测到 VDS 过流、或者是否会提高检测阈值?[/引述]

    VDRAIN 的额定电压范围为-0.3V 至45V、因此如果在该范围内、则不应有限制。 VDS OCP 监控的唯一规则是、当相关输入为高电平时、监测 VDS OCP (TBLANK 过期后)。  

    [~引语 userid="255273" url="支持/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forume/101081053/drv8305-Q1-VDS_OCP/4007342#4007342"]2. 如果振铃持续时间超过 TBLANK 周期并在高于 VDS_LEVEL 的电压下收敛、VDS_OCP 是否会检测到短路、如所附的图所示?[/QUINT]

    在您展示的图表中、TVDS 实际上会在 TBLANK 时间之后的第一个实例 VDS > VDS_LEVEL 发生、如下所示。 TVDS 是一种计时器、除非输入状态发生变化、否则不会中断。 如果发生振铃、计时器将继续经过并在经过一段时间后检查 VDS 电压、因此它不关心它是否在 TVDS 周期内出现振铃。  

    谢谢、
    Aaron

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    Aaron - San

    感谢您的支持。

    我们还有其他问题  

    问题1.
    从之前的答案中、客户认为 VDS_OCP 将检测到第一个波形(下面)中的短路、但不会。 可能的原因是什么? e2e.ti.com/.../0027.VDS_5F00_OCP.xlsx

    问题2.
    VDS_OCP 在 TBLANK 设置为7US 时无法工作的原因可能是什么?

    问题3.
    如果 VDS 电压在 TVDS 周期结束时不超过 VDS_LEVEL、VDS_OCP 是否不会检测到短路?

    问题4.
    如果问题3中 VDS_OCP 未检测到短路、TVDS 计时器是否会再次启动?

    e2e.ti.com/.../waveform2.xlsx

    请告诉我们。

    此致、

    库拉

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    您好、Kura-San、

    1) 1)如果标签正确、则应触发 VDS_OCP、因为0.5V > 0.155V;但是、当高侧 FET 导通且存在0.5V 差异时、这意味着流经 FET 的电流将为 FET 的0.5V/Rdson。 请检查电机电流和 FET 的 Rdson 是否正确、因为通常、如果使用小型 Rdson FET、该值应接近0V。  

    如果垂直位置正确、则如果在探测 VDRAIN-SHA 时使用更大的接地环路、则可能存在精确测量。 如果示波器探头刚好位于 MOSFET 的漏极和源极、则示波器应测量最精确的 VDS 测量。 从 VDRAIN 和 SHA 迹线返回 DRV8305的电感也会影响 VDS 监视器的测量。  

    如果测量结果正确、VDRAIN-SHA 上的振铃也会影响 VDS 监视器的 VDS 测量结果。 您能否看到在 MOSFET 上添加 VDRAIN-GND 旁路/大容量电容器和调整 RC 缓冲器是否有助于实现这一点?

    2) 2)我认为它不适用于7US、因为 DRV8305-Q1看到"稳定"VDS 电压低于 VDS_OCP 阈值。 0us 时、VDS 监视器检测到的电压要高得多。  

    3) 3)这是正确的。 如果 TVDS 周期结束时的 VDS 电压不高于 VDS_OCP、则不会触发过流事件、因为 TVDS 计时器是绝对的、并且仅在 TVDS 计时器完成后比较最终的 VDS 电压。  

    4) 4)我不确定实际上、我需要询问设计。 不过、我的假设是肯定的、因为只要输入为高电平、VDS 监控就应该有效、因此计时器应该持续有效。 我将在接下来的几天内确认。  

    谢谢、

    Aaron

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    您好、Kura-San、

    我从设计人员那里获得了其他反馈。  

    仅当 VDS > VDS_LEVEL 时、TVDS 才会继续计数。 如果 VDS < VDS_LEVEL、TVDS 将停止计数并等待 VDS > VDS_LEVEL 再次开始计数。 这意味着计时器不是"绝对"计时器、它是有条件的、仅在检测到潜在过流事件时激活。  

    红色点下方显示了 TVDS 开始计数的时间、而当 TVDS 停止计数时显示的蓝色点表示 VDS < VDS_LEVEL。 只有紫色点的最后一个实例(突出显示了 VDS 时间)是何时会触发过流事件。 与之前假定的不同、VDS 计时器不会重复计数。  

    谢谢、
    Aaron

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    Aaron - San

    感谢您的支持。

    我们还收到了客户的其他问题。 请查看以下内容。

    它们重新测量了波形。 测量期间的噪声降低。

      符合 VDS_OCP 的工作条件、但未检测到。

      除了波形外、还随附了数字数据和电路图、因为他们认为这对调查很有用

      从而使波形毫无疑问。 VDS_OCP 不工作的可能原因是什么?

      此外、即使 VDS_LEVEL 设置为0b00000、VDS_OCP 也无法正常工作。

    e2e.ti.com/.../waveform_5F00_-data_5F00_circuit.xlsx

    为了总结您的答案、TVDS 计时器的行为是否如下图所示?

    请告诉我们。

    此致、

    库拉

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    您好、Kura-San、

    我需要一些时间进行审核、我将在本周结束前回复。

    谢谢、
    Aaron

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    您好、Kura-San、

    我有一些后续问题:

    1) 1)您能否在电路中显示测量 VDRAIN-SHX 的位置? 我们建议尽可能靠近 DRV IC 引脚而不是靠近 MOSFET 进行测量、因为功率级布局中的寄生电感会影响 DRV8305-Q1看到的 VDS 测量。  

    例如、在 VDRAIN-SHX 的 A 点处测量可以显示测量的 VDS 电压超过 VDS_LEVEL、但在 B 点处测量可以显示 DRV8305-Q1测量的不同 VDS 行为。  

    2) 2)我们希望在工作台上测试 VDS 过流的一种方法是移除 MOSFET 并在 MOSFET 的漏极和源极施加实际电压。 客户是否愿意通过移除 MOSFET 并应用 VM、然后在 SHX 上应用 VM - 0.155V 来查看 VDS 过流是否跳变来进行 VDS 评估? 同样、寄生电感或 MOSFET 寄生效应会影响 DRV 的实际 VDS 测量。  

    3) 3)引入短路条件时、似乎引入了数百安培。 电源能否处理这种情况? 这种情况不太可能发生、但电源是否可能欠压至 UVLO 阈值以下、并且器件是否由于逻辑内核未激活而未检测到此故障情况?

    谢谢、
    Aaron

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    Aaron - San

    感谢您的支持。

    我们从客户那里获得了更多信息。

     

    -已确认在 SPI 波形中正确设置了寄存器。

    -示波器和探头的衰减设置相同。

    VDRAIN 和 SHA 之间的电压与短路电流匹配。

    ・"您是否可以将 SH_x 短接至 GND 并在 HS FET 上重新执行测试、以查看这是否会改善 VDS OCP?" IC 端短路?

    由于 IC 末端的图案很薄、因此无法承受短路电流。 是的

    "INLA = 1且监控 SH_X-SL_x 时、VDS 测量是否更好或更正确?" 被问及上短接的情况?
    如果是、VDS_OCP 在上短接的情况下工作。

    1) 1)将测量点 A 和 B 添加到文件中。

    e2e.ti.com/.../waveform_5F00_-data_5F00_circuit2.xlsx
    2) 2)他们认为 VDS_OCP 可与建议的方法配合使用、但这不是查看它是否与系统配合使用的测试。

      其目的不是单独检查 IC 的运行情况、而是检查安装板上的失效防护、因此不符合目的。

    3)如前所示、即使 P VDD 下降、也是6.8V。

    此致、

    库拉

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    您好、Kura-San、

    我将在本周结束前得到回复。

    谢谢、
    Aaron

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    您好、Kura-San、

    我查看了波形、我同意似乎仍不能正确进行跳闸。 我还有一些关于测试的想法:

    -最初、当短路引入其他信号时、包括 nFAULT 时、会发生很多耦合。 客户能否探测 EN_GATE 并唤醒以查看器件是否暂时进入不同的运行状态?

    -客户能否引入较低的短路电流来查看振铃是否减少?

    [引用 userid="255273" URL"~/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forume/101081053/drv8305-Q1-VDS_OCP/4035374#4035374]"*如果 INLA = 1且 SH_X-SL_x 受到监控、VDS 测量是否更好或正确?" 被问及上短接的情况?
    如果是、VDS_OCP 在上短接的情况下工作。

    如果 VDS_OCP 在 HS MOSFET 上发生短路时在高侧按如下方式工作、则导通该导通时引入的振铃可能会影响测量。 降低 IDRIVE 设置是否有帮助?

    谢谢、

    Aaron

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    Aaron - San

    感谢您的支持。

    我们收到了客户对您的问题的回答。

    客户能否探测 EN_GATE 并唤醒以查看器件是否暂时进入不同的运行状态?

    ->由于之前收到的建议,WAKE 管脚处于打开状态,由于没有测量垫,因此无法观察到。
      只要用示波器确认、EN_GATE 就会保持高电平。

    客户能否引入较低的短路电流来查看振铃是否减少?-

    ->VDS_OCP 在6V、12V、16V 时不工作。 这与更改短路电流相同。
     (由于 I = V/R、如果将"V"变小、"I"也会变小。)
      此时、振铃没有很大差异。

    如果 VDS_OCP 在 HS MOSFET 上发生短路时在高侧按如下方式工作、则导通该导通时引入的振铃可能会影响测量。 降低 IDRIVE 设置是否有帮助?

    ->在上短整型中,无法在上级检测到 VDS_OCP,当下级打开时,VDS_OCP 在的 VDS 中检测到

      较低的 FET。

      在上短整型中、VDS_OCP 即使使用我们的设置值也能正常工作、因此我认为无需更改 IDRIVE。
      在较低的短整型中、即使 IDRAIVE 设置为下限、VDS_OCP 也不起作用。

    下面是其他问题。

    e2e.ti.com/.../6521.waveform_5F00_-data_5F00_circuit2.xlsx
    (1)您注意振铃、但这是否意味着 VDS_OCP 即使对于附加文件的振铃也是不可接受的?

    (2)还是 IC 可能会因所附的振铃而出现故障?
    根据测量方法的不同、振铃看起来可能更大、因此实际可能更小。

    (3)请指明允许的振铃。

    (4)再次请告诉我们 VDS_OCP 不工作的可能原因。

    (5)为了总结您之前的答案、TVDS 计时器的行为是否如下图所示? 请向我们提供您的意见。

    此致、

    库拉

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    您好、Kura-San、

    我正在查看这些信息、并将在明天向您提供答复。

    谢谢、
    Aaron

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    您好、Kura-San、

    我也收到了团队成员的一些反馈、以便继续调查。 我现在不想关注振铃、而是想专注于 VDRAIN 测量。  

    由于 VDS_OCP 在 HS FET 短路时在 LS FET 上工作、而 VDS_OCP 在 LS FET 短路时在 HS FET 上不工作、因此低侧和高侧测量之间的主要差异是 VDRAIN。  

    • 您能否共享使用的 VDRAIN 电阻值? 它是100欧姆还是更低? 高电阻会影响 VDRAIN 测量。  
    • IC 引脚与 HS MOSFET 漏极处的 VDRAIN 测量是否存在差异?  
    • 您能否共享电机驱动器和功率级的布局? 我想查看 VDRAIN 布局是否会在 VDRAIN 布线中增加电感、因此在 VDRAIN 处影响测量。  

    TVDS 计时器的工作方式如下所示。  

    DRV8305-Q1已投入生产多年、因此 VDS 监视器应准确无误。  

    谢谢、
    Aaron

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    Aaron - San

    感谢您的支持。

    我们收到了客户对您的问题的回答或评论。

    >您能否共享使用的 VDRAIN 电阻值? 它是100欧姆还是更低? 高电阻会影响 VDRAIN 测量。

    --> RVDRAIN 为100欧姆+/-5%

    > IC 引脚上的 VDRAIN 测量值与 HS MOSFET 漏极之间是否存在差异?

    -->他们 认为存在差异,但他们期望 IC 根据 VDRAIN 端子的电压判断 VDS_OCP,

       因此、他们认为 VDRAIN 端子电压比 FET 的漏极端子电压更重要。

       还是从 VDRAIN 端子电压预测 FET 的漏极端子电压?

    >您能否共享电机驱动器和功率级的布局?

    >我想查看 VDRAIN 布局是否会增加 VDRAIN 布线中的电感,因此 在 VDRAIN 处测量受到影响。

    -->我收到了客户的布局信息。 我将通过您当地的 FAE 向您发送此信息。

    >DRV8305-Q1已投入生产多年,因此 VDS 监视器应准确无误。

    -->他们认为这是正确的,但 VDS_OCP 也是不起作用的。

    此致、

    库拉

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    您好、Kura-San、

    谢谢、我将等待来自本地 FAE 的电子邮件以进行布局。  

    更换 MOSFET 或 DRV8305-Q1是否具有相同的 VDS 结果? 如果在另一个 PCB 上执行测试、它是否具有相同的 VDS 结果?

    谢谢、
    Aaron

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    Aaron - San

    感谢您的支持。

    它们不仅替换了 FET、还替换了 DRV8305-Q1。

    它们在三个电路板上执行、所有结果都相同。

    我想您收到了布局信息。 请告诉我们。

    此致、

    库拉

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    您好、Kura-San、

    我收到了 PCB 布局、明天会收到回复。  

    谢谢、
    Aaron

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    Aaron - San

    感谢您的支持。

    如果您有任何更新、请告知我们。

    此致、

    库拉

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    你好,库拉-圣。

    我查看了布局、没有发现 VDRAIN 到 DRV8305-Q1进行高侧 VDRAIN 测量时出现问题。  

    我们还有一些基于先前分享的波形的理论:

    1) 1)客户能否分享短线测试设置的图片? 导线能否支持短路的电流?

    导线会增加电机电流路径的电感、我们可以看到 VDRAIN 突降非常低、这可能会影响 VDRAIN-SHX 测量。

    2) 2)我们从原始波形中看到、VDRAIN 在发生短路时骤降至接近0V、在这种情况下、我们不确定 HS VDS 比较器(VDRAIN-SHX)在电压如此低时是否响应。 PVDD 和 VDRAIN 电压之间也存在差异、但由于差异小于10V、因此器件应该可以。  

    我们将通过设计进行检查、以了解如何实现 DRV8305-Q1 VDS 比较器、以及 VDRAIN 接近0V 时 VDS 比较器是否出现故障。  

    3) 3)客户能否共享检测 VDS 故障的低侧 VDS 比较器的波形、此时它们将 HS FET 的漏源短路并导通 LS FET? 我想看看是否有任何明显的差异。 主要区别在于这两种行为之间的 VDRAIN。  

    谢谢、
    Aaron

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    Aaron - San

    感谢您的支持。

    我们从客户那里获得了有关您问题的其他信息。

    1)

    0.5mm 的长度是短接焊料、宽度约为2mm。

    他们认为电感足够小、不会产生任何影响。 此外、他们认为它可以承受短路电流。

    您可以看到寄生电感是一个问题、但正如波形所示、VDRAIN 和 SHA 之间的电压足够大。

    此外、从到目前为止收到的答案来看、他们认为、即使在 VDS_OCP 检测之前的过程中存在噪声(振铃)、VDS_OCP 也会在最终超过 VDS_LEVEL 时被检测到。他们的理解是否正确?  它们是否应该专注于振铃?

    2)

    他们认为您所连接的波形存在测量缺陷、并与噪声叠加。

    请参阅以下波形(该波形可降低测量噪声。)

    /sca-file/__key/communityserver-discussions 组件-files/38/6521.waveform_5F00_-data_5F00_circuit2.xlsx

    3)

    测量噪声较大、无法呈现波形。
    需要重新唤醒波形、但它正在另一个测试中使用、无法立即测量。

    此致、

    库拉

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    您好、Kura-San、

    我将於明日上午作出答覆。  

    谢谢、
    Aaron

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    Aaron - San

    感谢您的支持。

    如果您有任何更新、请告知我们。

    此致、

    库拉

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    您好、Kura-San、  

    我们的一些团队成员目前正在出差  

    但我们将审查您的问题、并力求尽快提供答案

    此致、  
    Andrew  

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    您好、Kura-San、

    很抱歉、因为我出去了。  

    1)焊接短接的宽度(~78mil)相关、因为它在瞬态时间内不应支持大量短路电流(即数百安培)。 通常、对于1安的电流、我们建议使用10mil 的电导率宽度。  

    2)已理解。 该波形清楚地显示了问题。 我仍在设计 HS VDS 比较器工作所需的最低 VDRAIN-SHX 电压、 仍可能存在一个不会导致 HS VDS 正确跳闸的设计条件、因为我仍处于 VDRAIN 和 SHA 欠压至接近0V 的极低电压的印象之下。

    3)已理解。  

    谢谢、
    Aaron

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    Aaron - San

    感谢您的支持。

    如果您有任何更新、请告知我们。

    客户想知道 VDS_OCP 不工作的原因。

    此致、

    库拉

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    您好、Kura-San、

    我们的团队目前仍在研究此问题、但我确实对客户的实施和波形有疑问:  

    1. 在该短路测试和 VDS 评估期间的系统级行为、
      1. 是否可以重新创建此波形、并添加以 GND (0V)为基准的 VDRAIN 电压信号?  
      2. 可以移除 Ch1 (分流电阻器电压以指示电机电流)  
      3. 我们希望更好地了解本次测试时 VDRAIN 的真实曲线、测试期间 VDRAIN 的最低值以及与 HS VDS 电压差相关的特定时序
    2. 您是否认为客户可以在该交流测试期间尝试稳定 VDRAIN 直流总线电压?  
      1. 例如、添加更多大容量电容(数百微法拉)以防止 VDRAIN 过快下降  
      2. 例如、添加更多的旁路电容(0.1uF、1uF 型小电容值并联、有助于滤除高频噪声)
      3. 我们的团队有兴趣了解客户的结果是否与 VDRAIN 电压不同   

    VDRAIN 波形确实出现在这里、但时间刻度有点太大、无法进行仔细评估:  

    此致、  
    Andrew  

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Kura-San、

    为了解决这个问题、由于 VDRAIN 在高侧 VDS 过流测试期间降至 PVDD_UVLO1 (4.1V)以下、并且期望 VDRAIN 通过100 Ω 电阻连接到 PVDD、因此 VDRAIN 监视器在设计中不会正常工作、因为 VDRAIN 监视器需要高于 PVDD_UVLO1。 为了使高侧 VDRAIN-SHX 监控工作、VDRAIN 应保持不变

    因此,我们建议2种变通办法:

    1) 1)在 VDRAIN 引脚和100 Ω VDRAIN 电阻器之间放置一个 VDRAIN-GND 电容器、以帮助将 VDRAIN 保持在 PVDD_UVLO1电平以上。  

    2)对 VDRAIN 实施外部监控、以便当 VDRAIN 降至短路测试期间(~1-2V)的电压时、将该事件记录为 VDS 过流事件。  

    谢谢、
    Aaron

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    Aaron - San

    感谢您的支持。

    我们的客户有以下附加问题。

     关于寄存器复位:
    他们认为、当 PVDD 降至 PVDD_UVLO1以下时、所有寄存器都将复位、但如果 PVDD 下降时电压瞬间下降、是否有可能会复位某些寄存器、而某些寄存器不会复位?

    或者、如果某个寄存器被复位、那么是否可以假设其他寄存器也被复位?

    此外、如果所有寄存器始终复位、请告知我们复位原因。

    (例如、如果 PVDD 低于 PVDD_UVLO1、则对寄存器进行正复位的电路将运行。

    请告诉我们。

    此致、

    库拉

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    您好、Kura-San、

    当 PVDD < PVDD_UVLO1的时间超过8-10us 时、所有 SPI 寄存器将在禁用内部逻辑时复位。  

    在8us 之前、寄存器不应丢失任何内容。 如果发生8us 至10us 的欠压、我无法评论寄存器是部分复位还是完全复位。   

    谢谢、
    Aaron

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    Aaron - San

    感谢您的支持。

    我们的客户有以下附加问题。

     关于电荷泵的低电压保护阈值:

    客户认为、如果电荷泵低电压保护阈值设置设置为 SET_VCPH_UV = 0V、则保护功能将在最大5.3V 时工作。

    是否可以假设电荷泵在 PVDD = 4.4V 至45V 的范围内通常不会降至5.3V (=电荷泵的低电压保护不起作用)?

    请访问 attached.e2e.ti.com/.../file.xlsx

    高侧栅极驱动器 Vgs 保证电压的最小值为5V。
    客户希望检查电荷泵低电压保护是否仍能在 P VDD = 4.4至45V 的范围内工作

    如果有工作案例,请告知我们。

    此致、

    库拉

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    您好、Kura-San、

    [引用 userid="255273" URL"~/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forume/101081053/drv8305-Q1-VDS_OCP/4135999#4135999"]是否可以假设电荷泵通常不会降至5.3V (=电荷泵的工作电压范围为4.4V/45V)?

    对于  SET_VCPH_UV = 0V 、寄存器设置中的典型规格为4.9V、这假定 VGHS 至少为5V。  

    今天、我需要向系统检查该器件中 VVCPH_UVLO2 = 5至5.3V 的可能性是多少、因为这种重叠表示即使 VGHS 可以低至5V w.r.t、SET_VCPH_UV 也可以在5至5.3V 的电压下跳闸 PVDD。  

    谢谢、
    Aaron

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    您好、Kura-San、

    根据特性数据、VGHS 值未显示低于5.9V、但数据表中的规格通常假设为六西格玛偏差、因此 VGHS = 5V 超出特性数据。

    HS Vgs 的生成独立于 VCPH_UV 阈值。 UV 阈值将根据带隙和阈值电压基准的具体细节而变化、而 Vgs 将更依赖于电荷泵中 FET 的温度和工艺变化。

     数据表表示 SET_VCPH_UV = 1模式的用途是专门确保当器件在4.4V 至5.5V 的工作条件下可能降至5.3V VCPH 以下时、不会触发 VCPH_UV。 它感觉不是冲突,而是我们有这两个不同的门槛的更多原因。

    谢谢、
    Aaron