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[参考译文] DRV8303:如何修改电流放大默认刻度

Guru**** 664280 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/1119465/drv8303-how-to-modify-the-current-amplification-default-scale

器件型号:DRV8303

大家好、

以下是客户提出的问题、可能需要您的帮助:

1) 1)驱动三相 MOS 管时、发现器件的默认电流放大因子为10V/V  客户希望了解如何将默认刻度更改为80V/V

2) 2)上电后、SPI 向控制寄存器2写入电流放大乘法器、当驱动 MOS 管时、发现 GVDD 电压在0.8ms 内从10.7V 降至8.5V、然后 GVDD 恢复至10.7V。 电流放大倍数恢复为默认值10V/V 这是否是由于 GVDD 而导致的 SPI 寄存器复位?

您可以帮助检查此案例吗? 谢谢。

此致、

樱桃

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    樱桃、您好!

    感谢您将问题发布到 E2E。

    我将与团队进行讨论、并打算在下周的星期三之前提供反馈。

    此致、

    Akshay

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    樱桃、您好!

    感谢您的耐心等待。

    • 要更改增益设置、您需要通过 SPI 发送指令。 地址0x03中。

    请参阅以下数据表的表11。

    https://www.ti.com/lit/ds/symlink/drv8303.pdf

     

    • 电流放大设置在寄存器3而非寄存器2上、您能澄清一下您所指的寄存器吗? GVDD 欠压功能仅在电压低于7.5V 时触发。 因此、由于 GVDD 欠压、SPI 寄存器可能无法复位。 DVDD 可能存在一个将状态寄存器复位的欠压情况。 SPI 寄存器复位的另一个例子是 EN_GATE 变为高电平或 PVDD 欠压。

     

    • 当驱动 MOS 管时、GVDD 可能会下降、因为 IDRIVE 设置为最高水平(默认条件)。 请检查情况是否如此、并考虑降低 IDRIVE。 它还有助于添加大容量电容器、以防止 GVDD 大幅下降。

     

    请检查 SPI 寄存器上是否触发了任何故障。

     

    希望这能提供一些澄清。

     

    此致、

    Akshay

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Akshay、

    感谢您的支持!

    [引用 userid="53652" URL"~/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/11194655/drv8303-如何修改电流放大-默认比例/4153648#4153648"]
    • 要更改增益设置、您需要通过 SPI 发送指令。 地址0x03中。

    请参阅以下数据表的表11。

    [/报价]

    SPI 指令修改了增益、但在发生某些故障或加电/断电后、电流增益恢复为默认值10V/V、因此增益系数似乎被写入 RAM 中。 在实际应用中、客户需要具有80V/V 的最终电流增益、加电/断电除外。

    [引用 userid="53652" URL"~/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/11194655/drv8303-How-Modify-the current-amplement-default-scale/4153648#4153648"]当前放大在寄存器3而非寄存器2上设置、您可以参考哪个寄存器? GVDD 欠压功能仅在电压低于7.5V 时触发。 因此、由于 GVDD 欠压、SPI 寄存器可能无法复位。 DVDD 可能存在一个将状态寄存器复位的欠压情况。 SPI 寄存器复位的另一个实例是 EN_GATE 变为高电平或 PVDD 欠压时。[/QUINT]

    地址 为0x03。

    当三相反相 MOS 管实际被驱动时、在 B 相中发生了上 MOS 管和下 MOS 管的直通、导致 nFAULT 引脚被拉至800us 的低电平、然后又回到高电平 (因为该器件控制 B 相 MOS 直通后的所有 MOS 关断)。
    电流增益系数恢复为10V/V (加电时、80V/V 的增益系数已由 SPI 通信写入、并且 SPI 应答数据正确)。

    突然改变电流增益系数是很危险的、因此客户想知道哪些条件会导致电流增益系数改变、以及如何修改和写入默认增益系数?

    [引用 userid="53652" URL"~/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/11194655/drv8303-How-Modify-the current-amplement-default-scale/4153648#4153648"]当驱动 MOS 管时、GVDD 可能会下降、因为 RIVE 默认情况下限。 请检查情况是否如此、并考虑降低 IDRIVE。 它还有助于添加大容量电容器、以防止 GVDD 大幅下降。[/引述]

    明白。

    谢谢、此致、

    樱桃

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    樱桃、您好!

     

    感谢您的耐心等待。

     

    如果 EN_GATE 变为低电平的时间超过10us、则 SPI 设置可能会被复位、因此请确保不会发生此事件。

     

    要监控的另一个组件是 VDD_SPI。 请确保这在整个时间内为高电平、因为如果它变得过低或降至0V、则 SPI 将被复位。

     

    希望这能提供一些澄清。

     

    此致、

    Akshay

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Cherry、

    您是否需要有关此主题的帮助? 如果未解决、请标记为"已解决"。  

    谢谢、
    Aaron