大家好、
以下是客户提出的问题、可能需要您的帮助:
1) 1)驱动三相 MOS 管时、发现器件的默认电流放大因子为10V/V 客户希望了解如何将默认刻度更改为80V/V
2) 2)上电后、SPI 向控制寄存器2写入电流放大乘法器、当驱动 MOS 管时、发现 GVDD 电压在0.8ms 内从10.7V 降至8.5V、然后 GVDD 恢复至10.7V。 电流放大倍数恢复为默认值10V/V 这是否是由于 GVDD 而导致的 SPI 寄存器复位?
您可以帮助检查此案例吗? 谢谢。
此致、
樱桃