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[参考译文] DRV8350R:GDUV、VGLS 电压异常问题

Guru**** 657500 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/1120668/drv8350r-abnormal-gduv-vgls-voltage-issue

器件型号:DRV8350R

大家好、

以下是客户提出的问题、可能需要您的帮助:

问题:栅极驱动器损坏

VGLS 电压:3V。

S/W 配置:驱动电流为1A/2A、栅极驱动电阻为22 Ω、MOS-IPB042N03 G (每个 MOS 2个以上、单独22 Ω)

客户怀疑栅极驱动器内部 LDO 损坏。

1) 1)可能的原因是什么?

2) 2)需要增加的22 Ω 电阻是多少?

3) 3)调整驱动电流和驱动电阻之间是否存在差异、哪一个更好?

您可以帮助检查此案例吗? 谢谢。

此致、

樱桃

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    樱桃、您好!

    感谢您将问题发布到 E2E。 我将在下周初作出回应。

    此致、

    Akshay

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    樱桃、您好!

     

    我有一些初步问题可以更好地理解这个问题。

     

    • 您使用的是 SPI 还是器件的硬件变体?
    • 触发了哪些故障?
    • 您是否正在使用 EVM? 如果没有、是否在 VGLS 引脚上放置了一个1uF 电容器?
    • 客户是否尝试以较低的驱动电流运行器件?

     

    GDUV 可通过 VCP 欠压或 VGLS 欠压触发。

     

    通过器件设置调整驱动电流应具有与添加栅极电阻器控制电流相同的效果。 但是、保持更改栅极电阻器可能会更昂贵。

     

    此致、

    Akshay

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Akshay、

    感谢您的支持。

    [引用 userid="53652" URL"~/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/1120668/drv8350r-normal-gduv-vgls-voltage-issue/4156727#4156727"]您是否使用了 SPI 或器件的硬件变体?[/quoteale]

    使用 DRV8350RSRGZR。

    [引用 userid="53652" URL"~/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/1120668/drv8350r-normal-gduv-vgls-voltage-issue/4156727#4156727"]触发了哪些故障?

    触发 GDUV 故障、VGLS 电压异常、输出电压为3V。

    [引用 userid="53652" URL"~/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/1120668/drv8350r-normal-gduv-vgls-voltage-issue/4156727#4156727"]您是否正在使用 EVM? 如果不是、您是否在 VGLS 引脚上放置了一个1uF 的电容器?

    否、 未使用 EVM、 目前客户正在调试自己的产品、VGLS 引脚具有1uF 电容。

    [引用 userid="536592" URL" URL"~/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/1120668/drv8350r-normal-gduv-vgls-voltage-issue/4156727#4156727"]客户是否尝试以较低的驱动电流运行器件?[/quote

    客户尝试将上桥的栅极电阻更改为51ohm、将下桥的栅极电阻更改为100ohm (与下栅极电阻并联的反向二极管可实现快速放电)、并将驱动电流降至150mA。 该测试目前未显示损坏的栅极驱动器行为。

    栅极驱动器如何损坏? (上部和下部电桥的栅极电阻均为22 Ω、下部电桥栅极电阻与驱动1000mA/2000mA 的反向二极管并联连接。并且器件在高负载电流下已损坏)

    谢谢、此致、

    樱桃

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    樱桃、您好!

     

    感谢您的耐心等待。

     

    我认为这里的主要问题是驱动电流设置过高。 这会导致 MOSFET 的开关速度非常快。 我相信该 MOSFET 的 QGD 为4.7nC。 因此、上升时间为 QGD /I SOURCE、下降时间为 QGD /I SINK、分别为4.7nC/1A =4.7ns 和4.7nC/2A =2.35ns。 这非常快、可能会导致 MOFSET 出现振铃。 振铃可能会导致栅极驱动器的栅极/源极引脚上出现电压尖峰、并超出其绝对最大额定值。 因此、如果 SHx 上升到高于 VCP、则可能会使电流流经前置驱动器的体二极管、从而导致 VCP 损坏。

     

    这种振铃可能导致客户观察到 GDUV 故障。 是否在较低的驱动电流下观察到故障?

     

    我们通常建议使用200ns 的上升时间和100ns 的下降时间来实现快速 MOSFET 开关。

     

    我认为此问题可能与此 E2E 帖子中讨论的问题类似。

    https://e2e.ti.com/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/1088636/when-drv8350s-is-working-with-a-motor-occasionally-the-chip-will-report-gduv/4080462?tisearch=e2e-sitesearch&keymatch=GDUV#4080462

     

    希望这能提供一些澄清。 如果您有任何疑问、请告诉我。

     

    此致、

    Akshay

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Cherry、

    您是否需要有关此主题的更多帮助? 如果未解决、请标记为"已解决"。  

    谢谢、
    Aaron