在解决 我的前置驱动器故障后 、我遇到了另一个问题。 很好地获得 xOCP 过流保护标志。 开始挖掘一点、我发现了以下内容:
这些是 xIN1设置为高电平后、一个电桥的每个栅极的波形。 驱动器似乎希望同时打开所有 FET (?)
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在解决 我的前置驱动器故障后 、我遇到了另一个问题。 很好地获得 xOCP 过流保护标志。 开始挖掘一点、我发现了以下内容:
这些是 xIN1设置为高电平后、一个电桥的每个栅极的波形。 驱动器似乎希望同时打开所有 FET (?)
Alex、
感谢您分享原理图。
原理图对我来说很好。 尽管每个半桥的开关节点看起来没有连接到 xOUTx 节点。 可能在原理图上没有很好地显示。 我确定这是一个图表错误、但您能仔细检查一下。
您能否测量 AOUTx 和 BOUTx、nFAULT? 在 AIN1 =高电平时、您能否获取另一个显示 A1HS、A2LS、AOUT1、nFAULT 的波形。
如果未正确增强 MOSFET、则会出现高 Rdson、这将解释 OCP 故障。 如果出现这种情况、查看我在下面请求的波形将给我一个好主意。
尊敬的 Alex:
感谢您的波形。
当发出关闭低侧 FET 的命令时、高侧 FET 看起来会开始关闭。 这会导致高侧 FET 的 Rdson 增大、从而增大 VDS 并导致 OCP 故障。
另一个半桥上是否也会发生同样的行为?
下一步是了解高侧 FET 为何开始关断。 可以移除 FET 并重新采集波形(类似于您发送的波形)。 但是、测量 AIN2、而不是测量 OUT1。 我想知道 FET 是否会以某种方式影响栅极电压。
尊敬的 Alex:
这显然是 MOSFET 的一个问题。 我建议用新的 MOSFET 替换旧的 MOSFET。 如果问题仍然存在、请使用不同参数的不同 MOSFET 替换它们。 确保在连接和未连接负载的情况下进行测试。
请随时更新您的测试信息、因为这对我们来说是一个很好的学习机会。
如果尚未这样做、我强烈建议阅读数据表的第8.2.2.1节、其中详细介绍了外部 FET 选择过程。