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主题中讨论的其他器件：CSD18534Q5A
可以通过以下公式轻松计算
但根据下面的数据表、
如何在计算总功率损耗之前将 TJ 温度映射到 Rdson
可以提供详细的示例进行说明
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如何在计算总功率损耗之前将 TJ 温度映射到 Rdson
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您好、廖先生、
感谢您的查询。 计算 MOSFET 导通损耗的公式正确。 BVDSS 与 TJ 的波形图与导通损耗无关、但击穿电压确实具有正温度系数。 MOSFET 导通电阻也具有正温度系数、如 TI MOSFET 数据表的图8所示。 下面显示了 CSD18534Q5A 的一个示例。 要使用这些图、您可以假设温度并将 RDS (on)乘以图中的标准化导通状态电阻。 例如、假设 TC = 100ºC Ω 且 VGS = 4.5V、则 RDS (on)乘法器约为1.45。 您可以通过将功率耗散乘以结至外壳热阻来估算结温上升。 这是一个迭代过程、因为您不知道结温、必须对结温进行假设或最佳估计。 图8中的曲线数据是使用非常短的脉冲获取的、以最大限度地减少自发热、并假设 TJ = TC
此致、
John Wallace
TI FET 应用