[参考译文] DRV8872-Q1：引脚 OUT2的最大电压

你好、Rick

如何确认浪涌电流？

VM 由 DCDC VOUT 供电、是否还应考虑 DCDC VOUT 电容器？

谢谢！

你好、Rick

是否会在以下三种情况下触发故障？

案例1：OUT2连接至32V、电流流经体二极管流向 VM。

CASE2：OUT2连接至32V、电流流经 HS-FET 通道流向 VM。

案例3：OUT2连接至32V、电流流经 LS-FET 通道流向 VM。

e2e.ti.com/.../FAULT.pdf

尊敬的 Lin：

浪涌电流可能非常高、具体取决于32V 大容量电容器。

创建的等效电路是通过二极管连接至 VM 电容器的32V 电容器。  

要回答您的故障问题：  

是否会在以下三种情况下触发故障？

案例1：OUT2连接至32V、电流流经体二极管流向 VM。 -- 不是，从源极到漏极跟随时，不会检测到电流

CASE2：OUT2连接至32V、电流流经 HS-FET 通道流向 VM。 -- 不是，从源极到漏极跟随时，不会检测到电流

案例3：OUT2连接至32V、电流流经 LS-FET 通道流向 VM。 是 的，但在此之前，电流已经流经高侧 FET 的体二极管。

你好、Rick

Q1：一旦流经漏源的电流超过峰值、无论 HS 或 LS 如何、都将触发 OCP 故障。 我是对的吗？ 您能否详细介绍 OCP 检测方法、或向我分享一份文档？

Q2：对于案例3、您为什么会说"但在此之前、电流已流经高侧 FET 的体二极管"？  我认为体二极管比 DS 通道具有更大的电阻？

尊敬的 Lin：

Q1：一旦流经漏源的电流超过峰值、无论 HS 或 LS 如何、都将触发 OCP 故障。 我是对的吗？ 您能否详细介绍 OCP 检测方法、或向我分享一份文档？

你是对的。 漏源电流由内部电路监控。 如果电流在 OCP 抗尖峰脉冲时间(~2us)内超过 OCP 值(3.7至6.6A)、FET 将被禁用~3ms。

Q2：对于案例3、您为什么会说"但在此之前、电流已流经高侧 FET 的体二极管"？  我认为体二极管比 DS 通道具有更大的电阻？

这取决于何时启用输出。

如果在启用输出之前发生对32V 的短路、则电流将流经高侧 FET 的体二极管。

如果在输出为高电平时发生短路、电流将流经高侧 FET。

如果在输出为低电平时发生短路、电流将流经低侧 FET 并导致过流故障。

你好、Rick

非常感谢您的友好帮助。

我们知道电机是电感器件、您能告诉我如何防止 EMI 吗？ 我不确定图4中的绿线是否有用。

尊敬的 Lin：

请参阅链接  

您还可以在电机驱动器论坛的顶部和常见问题解答部分的右侧找到该工具。  

你好、Rick

不会误导您。 我是指反 EMF、而不是 EMI。

我们知道电机是电感器件、您能告诉我如何防止反电动势吗？ 我不确定图4中的绿线是否有用。

尊敬的 Lin：

是的、绿线很有用。

但您需要足够的电容来防止 VM 电压上升到高于 DRV8872-Q1和连接到 VM 的任何其他器件的绝对最大值。

数据表的第9节提供了通用指南。 之前提供的链接还提供了一些关于放置和过孔的建议。

你好、Rick

使用 DRV8872EVM 测试电机的反电动势。 请发送 fe2e.ti.com/.../back-EMF-test.pdfind 附件、谢谢！

你好、Rick

使用 DRV8872EVM 测试电机的反电动势。 请查找附件、谢谢！

e2e.ti.com/.../7002.back-EMF-test.pdf

尊敬的 Lin：

1V 和 VM+1或3V 不是反电动势。 这是禁用输出时保持流动所需的电感尖峰。

电流流经低侧或高侧 FET 的体二极管、这会导致输出略低于接地值或略高于 VM。

当在 VM 路径中插入串联二极管时、DRV8872VM 上的总电容是否也发生变化？ 如果是这样、VM 上的较低电容会导致 VM 电压上升超过原始电容。

要查看反电动势、请参阅以下链接。

你好、Rick

您推荐的文章已经过仔细研究。 图中说明了两个关键点：

首先、添加三个电阻器、将 ADC 电压限制在3.14V。 (当 OUT1和 OUT2的电压分别为-0.7V 和11.7V 时、计算得出此3.14V。 即电流流过体二极管。)

其次、应在驱动器进入高阻态后的1ms 内测试反电动势

同样、当电流流经体二极管且驱动器立即进入高阻态时、会测试我的-1V 和 VM+1。 我认为它们应该是 EMF。 请改正我的问题、谢谢。

BTW、当在 VM 路径中插入串联二极管时、只有该串联二极管会添加到宝贵的电源和 DRV8872EVM 之间。 我认为不应更改总电容。 我无法理解这个结果。 再次感谢您的热情帮助。

尊敬的 Lin：

其次、应在驱动器进入高阻态后的1ms 内测试反电动势

应在电流耗散后测试反电动势。 这可能需要几微秒或几毫秒、具体取决于电机。

同样、当电流流经体二极管且驱动器立即进入高阻态时、会测试我的-1V 和 VM+1。 我认为它们应该是 EMF。 请改正我的问题、谢谢。

1V 和 VM + 1V 是流经体二极管的电流所需的电感尖峰。 在电感器中也可以看到相同的尖峰。

BTW、当在 VM 路径中插入串联二极管时、只有该串联二极管会添加到宝贵的电源和 DRV8872EVM 之间。 我认为不应更改总电容。 我无法理解这个结果。 再次感谢您的热情帮助。

如果您尚未更改 EVM 上的电容值、则添加串联二极管不应影响运行。

你好、Rick

更新了我的最新测试结果。

当 IN1 = 0且 IN2 = 1时(大约 640ms)、我的电机向前移动。 当 IN1 = 1且 IN2 = 1时(大约 150ms)、我的电机停止运行、两个 LS-FET 用于衰减电机电流。 我能否得出结论："当电机电流降至零时、不会产生反电动势"？

尊敬的 Lin：

我能否得出结论："当电机电流降至零时、不会产生反电动势"？

一旦电机电流降至零、电机就会移动、从而产生反电动势。

你好、Rick

在我的应用中、使用640ms 将我的电机向前移动。 实际上、250ms 足以让我的电机完成此正向请求。

也就是说、当电流降至0时、我的电机已停止640-250+150=490ms。 不会产生反电动势、因为当电流降至0时、电机已停止很长时间。

这也与您的解释相对应："一旦电机电流降至零、电机移动时就会产生反电动势。"

我是否理解正确？ 感谢您的热情帮助。

尊敬的 Lin：

在上面发布的最后一幅图像中、图像的非缩放部分的 OUT1和 OUT2上似乎存在一些纹波。

如果电机此时停止运转、即反电动势。 如果电机停止运转、则可能会产生探头噪声。

当两个输出均为高阻态且电机未移动时、请测量 OUT1/OUT2电压。