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[参考译文] DRV8704EVM:FET Q7和 Q5短路

Guru**** 670150 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/964736/drv8704evm-fet-q7-and-q5-are-shorted

器件型号:DRV8704EVM

您好!

测试时、Q7和 Q5现在短路。 我最初在 PWM 慢速衰减模式下遇到问题、故障 LED 亮起。 我 认为,前进和倒退 具有同样的结果。 请注意、我旋转电位计 的速度相当快。 我连接了一个差分探头、我注意到电压上升可能高达30V。 电源设置为12V。 现在 Q7和 Q5短接。 我尝试在 PWM 快速衰减模式下快速旋转 POT、但没有任何问题。 有人可以帮助解释使用慢速衰减模式时的回退吗?

谢谢、

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    您好、Michael、

    旋转电位计时、是否有任何负载连接到输出端? 如果是、什么类型的负载?

    Q7和 Q5或驱动器是否存在任何不可逆转的损坏?

    器件电源电压是多少?

    您是否捕获了任何显示电压上升的波形? 分析这些波形可能有助于了解正在发生的情况。

    如果 Q7和 Q5短路、则可能意味着发生了直通或击穿短路。 无论这是否由慢速衰减模式和快速旋转电位计引起、我们都必须加以研究。

    慢速衰减、正如其名称所示、通过电感器的电流衰减所需的时间更长、而电流通过底部的两个 FET 再循环。 您可以在此 应用手册中了解有关不同类型衰减模式的更多信息。

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    您好 Pablo、

    A 侧打开时、我有一个电机连接到 B 侧。  两个输出都设置为 PWM。   电机是现成的标准775。 损坏程度不清楚、但两个 FET 短接、从 D 到 S 的测量值约为10欧姆。似乎没有比这更远的距离。 电源电压为13.5V。  我没有捕获示波器图、但我看到它的上升高于 在电机端子(MB1和 MB2)上观察到的电源电压。 我假设会发生某种击穿。 请告诉我您是否需要我来采集更多数据。

    谢谢                

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    您好、Michael、

    如果可能、我希望看到一个波形、显示尝试驱动电机时的 VM 电压和电流。 如果存在击穿、VM 线路中将出现较大的电流上升。 您能否提供该波形?

    您如何测量 FET 的 D 和 S 之间的电阻? 您是否使用了万用表? 测量是在器件处于活动状态并驱动电机时完成的吗?

    到目前为止、所有证据都指向击穿、作为损坏的原因、但我必须查看波形以完全确认。

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    您好 Pablo、

    直到新年,我才会看到屏幕截图。 我可以告诉您的是、一旦通电、 故障状态指示灯将跳闸。 此外 、使用 红外摄像头、两 个 FET 在空闲时会变得非常热。 故障 LED 跳闸时是否仍然可以驱动某种器件?      

     在一切 关闭和断开时进行电阻测量。  

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    Michael、

    每当触发故障时、H 桥就会禁用。 如果触发 UVLO 或热关断、则故障将清除、一旦电压或温度上升到安全限值以上、驱动器将恢复运行。 对于其他故障、需要重新启动器件以清除故障。

    如果在不驱动的情况下温度较高、FET 似乎会损坏。 您能否用新的 FET 替换损坏的 FET?  

    在快速衰减模式下、您是否使用带有损坏 FET 的 EVM 执行了测试、或者是否使用了不同的 EVM?

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    您好 Pablo、

    明年的计划是更换 FET 并恢复测试。  在慢速衰减之前、我使用相同的 EVM 在快速衰减中进行了相同的测试、没有任何问题。  

    因此、当我注意到电机引线(MB1和 B2)上的 PWM 电压上升到高于我的电源电压时、请进一步考虑这一点、振幅可能会超过 FET 60V 额定值。 如果超过60V、FET 是否会短路? 我认为这种情况可能是因为我注意到、在慢速衰减模式下并快速旋转 POT 时 、它会关断我的电源。  遗憾的是、我 当时没有监控任何信号。 在我 切换到物理尺寸更大的电源之前、这种情况发生了两次。 开关电源后、在慢速衰减模式下快速旋转 POT 时 、POT 短路但未关断电源。  

    此致、

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    您好、Michael、

    更换 FET 后、请发送测试结果。 它似乎是慢速衰减导致了问题。  

    只需确认一下、您如何修改输入信号以将衰减模式设置为慢速或快速? 您是否关注数据表(如下)上的真值表。 因此、如果您需要慢速衰减、其中一个 INX 信号应处于高电平、而另一个 INX 信号由 POT 切换。 另一方面、要设置快速衰减(或惯性滑行)、其中一个 INX 信号应处于低电平、而另一个信号在1和0之间切换。

    关于电源、我认为电压上升会导致流经 VM 的电流上升到高于电源电流限值、从而降低 VM 电压。 当您更改为更大的电源时、电流限制要高得多、这会阻止电源关闭。 看起来较小的电源实际上是保护 FET。 我建议降低电源的电流限制、以保护 FET、以备将来的测试使用。  

    驱动器在内部监控每个 FET 的 VDS。 如果 VDS 超过 OCPTH 位设置的值(max=1V)的时间超过抗尖峰脉冲时间(OCPDEG)、则将触发 OCP 故障以禁用器件。 如果 FET 上的电压突然上升至60V 以上且持续时间低于 OCPDEG、FET 可能会在不触发 OCP 故障的情况下受损。 是否已尝试将 OCPDEG 和 OCPTH 设置为最低值? 这将确保快速检测到 OCP 事件。  

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    您好、Michael、

    您是否有任何更新?

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    您好 Pablo、

    很抱歉耽误你的时间、我现在刚回到办公室。 似乎开始新年的速度很慢。 可能不会再回到实验室一两周。  在真值表中、我刚刚使用了电路板附带的跳线、并按照 您突出显示的表格进行操作。  我没有错过过 OCP、只是 开箱即用地运行了测试。 不会出现任何过流问题、因为电机已卸载。  在运行测试之前、我将更换 FET 并降低 OCP 阈值。 我应该启动新论坛还是继续当前论坛?

    谢谢、     

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    您好、Michael、

    感谢您的更新。

    由于您需要很长时间才能提供数据、因此让我们关闭此线程。 准备好发布后、只需提出一个新的相关问题。