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您好!
我们设计了一个用于双极步进电机驱动器的具有 DRV8711的电路板。
但电路板突然停止工作、并产生 APDF 误差、根据建议、我将低侧 MOSFET 栅极电阻值更改为100欧姆。
然后、它会生成另一个称为"BOCP"的错误。
此外、我们还发现评估板上的行为相同。
请帮助我们解决此问题。
此致、
Srikanth Ala
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您好!
我们设计了一个用于双极步进电机驱动器的具有 DRV8711的电路板。
但电路板突然停止工作、并产生 APDF 误差、根据建议、我将低侧 MOSFET 栅极电阻值更改为100欧姆。
然后、它会生成另一个称为"BOCP"的错误。
此外、我们还发现评估板上的行为相同。
请帮助我们解决此问题。
此致、
Srikanth Ala
Srikanth、
1."TI 还建议在添加串联电阻时将死区时间设置为850ns。"
您是否将死区时间更改为850ns?
2.在数据表 7.3.8配置前置驱动器:如果 IDRIVE 和 TDRIVE 对于给定的 FET 被选为过低、则 FET 可能无法完全导通。 TI 建议使用所需的外部 FET 和步进电机在系统内调整这些值、以确定适用于任何应用的最佳设置。
您的测试中的 IDRIVE 和 TDRIVE 值是多少? 我们可以增加它们吗?
尊敬的王先生:
我们使用的是"CSD18531Q5A" MOSFET、死区时间为850ns。
和驱动程序寄存器配置。
//驱动器寄存器
ST_gDriveReg.u8_mAddress = 0x06;
ST_gDriveReg.u8_mIDRIVEP = 0x00;
ST_gDriveReg.u8_mIDRIVEN = 0x00;
ST_gDriveReg.u8_mTDRIVEP = 0x01;
ST_gDriveReg.u8_mTDRIVEN = 0x01;
ST_gDriveReg.u8_mOCPDEG = 0x01;
ST_gDriveReg.u8_mOCPTH = 0x01;
请告诉我应该更改哪些值。
感谢您的支持。
此致、
Srikanth Ala
尊敬的王先生:
当我进行此配置时、我的电源被烧坏了。
我请求您建议寄存器值的配置。
此致、
Srikanth Ala