[参考译文] DRV8306：1.

尊敬的 Arturo：

感谢您的提问！ DRV8306专为驱动 MOSFET 而设计、因此会施加大约10V 的 VGS 电压。 GaN FET 通常需要较低的 VGS 电压、例如6V、因此 DRV8306不适合驱动 GaN FET。  

此致、

Anthony Lodi

是否有特定的集成芯片、其功能与您推荐用于使用 GanFet 的应用？ 或者、您是否有您推荐的 BLDC 电机控制器和驱动器的特定组合？ 我一直使用 UCC26DW 和 LM5113对来运行 BLDC 霍尔传感器电机。 事实证明、从这一对产品中获得始终如一的可靠性能非常困难。 通常情况下、LM5113芯片在启动时会立即烧坏、或按预期运行15秒、然后烧坏。 GANFETS 配置为半桥配置、因此 GANFet 会与驱动器一同烧坏。

尊敬的 Arturo：

使用的总线电压是多少？ GaN 通常用于 220V 等高总线电压的应用。

此致、

安东尼  

我正在尝试使用38伏的总线电压。 感谢您的回复！

尊敬的 Arturo：

非常感谢您的详细信息！ 出于好奇心、考虑到电压电平如此低、使用 GaN FET 而不是 MOSFET 的原因是什么？

此致、

Anthony Lodi