主题中讨论的其他器件：CSD19532Q5B、 DRV8353
DRV8353Rx-EVM 是一个支持100V 的评估模块、可用于评估 DRV8353Rx 的功能和特性。 DRV8353Rx 为功率级驱动6个 CSD19532Q5B 100V 功率 MOSFET。 MOSFET 的典型 Qg 为48nC、低 Qgd 为8.7nC。
使用 DRV8353Rx-EVM 时、为何应使用低 IDRIVE 设置？
由于 Qgd 和 Qg 的值很小、因此快速切换 MOSFET 不需要多少栅极电流。 在为 MOSFET 的 CGD 寄生电容充电期间、MOSFET 的漏源电压(VDS)会发生压摆(请参阅下图)、 由于 FET 的 Qgd 典型值为8.7nC、这意味着只需极少的电荷即可为 CGD 电容器充电并完全转换 VDS 电压。
为了避免低 Qgd MOSFET 的 VDS 电压转换过快、有必要使用低 IDRIVE 设置。 对于 DRV8353Rx EVM、建议 IDRIVEP 使用50mA 的最低 IDRIVE 设置和 IDRIVEN 使用100mA 的 IDRIVE 设置、以避免 FET 开关速度过快。 使用 DRV8353的最低 IDRIVE 设置将导致 VDS 压摆率约为 Qgd/IDRIVE = 8.7nC/50mA = 175ns 上升时间、这仍然非常快。 有关选择适当 IDRIVE 设置的更多信息、请参阅 了解智能栅极驱动应用手册。
使用更高的 IDRIVE 有哪些问题？
如果使用更高的 IDRIVE 设置、则会导致更快的 VDS 压摆率、这可能会导致 MOSFET 开关期间 SHx、GHx 和 GLx 上出现电压振铃、过冲和下冲。 该振铃是由 PCB 栅极和源极布线的寄生电感引起的、可导致电感尖峰。 如果电压振铃过大、可能会导致超出器件的绝对最大引脚额定值、从而可能导致驱动器损坏。 使用最低 IDRIVE 设置有助于减少开关期间的电压振铃、从而帮助器件在低于器件的绝对最大额定值的情况下运行。 使用较低的 IDRIVE 设置也可以减少 EMI 问题。
何时需要更改 IDRIVE 设置？
DRV8353的默认 IDRIVE 设置为1A 拉电流和2A 灌电流、这意味着、只要寄存器设置复位为默认值、EVM 的 IDRIVE 设置都需要重新配置为最低 IDRIVE 设置。 有关何时将寄存器设置重置为默认值的更多信息、请参阅此e2e 常见问题解答。
如何使用 EVM 的 DRV8353Rx GUI 通过 SPI 重新配置 IDRIVE 设置？
启用系统后、在旋转电机之前、转至 GUI 的寄存器映射页面、并更改栅极驱动 HS 和栅极驱动 LS 寄存器、以便将位0-6设置为0。 也可以在 Field View 下、从下拉菜单中选择50mA (IDRIVEP)和100mA (IDRIVEN)来完成该操作。 对于栅极驱动 HS 寄存器和栅极驱动 LS 寄存器、都需要执行此操作。
如果寄存器写入从立即更改为延迟、则需要按下"Write All Registers"按钮来写入寄存器设置。 最好读取所有寄存器以确保正确写入所需的寄存器设置。
