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SHx 悬空的原因是高侧栅极架构。 当低侧 FET 未导通时、从 SHx 产生的泄漏电流没有接地路径、这意味着 SHx 将通过 FET 的体二极管向上浮至 VM、如下图所示。 在 SHx 上存在电阻分压器的情况下、并非所有电压都浮至 VM、因为部分电流将流过添加的电阻分压器。
当低侧和高侧 FET 均未导通时、GHx 本质上短接至 SHx。 这意味着 GHx 也会相对于 SHx 浮动。 然而、仅仅因为在 GHx 上看到了电压、并不一定意味着高侧 FET 被开启。 决定高侧 FET 是否导通的因素是 GHx 相对于 SHx (VGS)的电压。 例如、如果 GHx 为12V 而 SHx 为12V、则 GHx-SHx 之间的差分电压为0V、这意味着 FET 未开启而 GHx 的输出为关闭。 为了导通高侧 FET、需要至少10-12V (GHx-SHx)的电压差。
