[参考译文] DRV8908-Q1：关于死区时间

嘿 Shoji-San、

否、死区时间对于防止 MOSFET 将 VM 短接至 GND (击穿)至关重要。  请参阅 8.3.1.2.2交叉导通(死区时间)。  以及应用报告《 集成 MOSFET 驱动器中的延迟和死区时间》

此驱动电感负载时、我们是否应该考虑 HS 和 LS FET 驱动器的任何特定方法？ 在我看来、即使它驱动电感负载、也没有独特的要求、因为它包含体二极管。

同意、对于此具有电感负载的器件没有独特的要求、您可以将其用于驱动有刷电机或螺线管。  以下是有关为您的系统选择大容量电容和输入电感器的有用应用手册：  输入和输出电容器选择。  您可以使用该评估模块来使用您的特定负载测试此驱动器： DRV8908-Q1EVM

谢谢、

雅各布