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[参考译文] DRV8353:6个 PWM、3个 PWM、1个 PWM

Guru**** 668880 points
Other Parts Discussed in Thread: DRV8353
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/1254639/drv8353-6x-pwm-3x-pwm-1x-pwm

器件型号:DRV8353

大家好、使用6x PWM 模式、我们可以观察到高侧和低侧开关之间的死区时间似乎完全忽略了 Tdrive 和 Tdead 设置。  您能解释一下为什么会出现这种情况吗?  我得到的印象是、在6x 模式下、 VINHx 和 VINLx 直接决定栅极驱动器的状态、只有 Idrive 设置才有意义-这就是我们的跟踪显示的结果。  但是、我们尚不清楚芯片的数据表对此主题进行了说明。

3X PWM 模式的行为是否不同?  我们在数据表中找到的精确芯片(DRV8353)时序图表明是的。  由 VINHx 输入+ Tdrive + Tdead 决定的低侧栅极状态是合理的。   

非常感谢您的帮助、让我们更清楚了解情况。

-S

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    嘿 Shemuel、

    您忽略 Tdrive 和 Tdead 时序是指它花费较长或较短的持续时间? 我希望能够对观察到的内容(预期与观察到的情况)进行多一点的阐述。

    另请参阅此有关 Tdrive 的帖子、因为它包含与 DS 相比更新的 Tdrive 图。

    https://e2e.ti.com/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/1162578/drv8323-clarification-of-tdrive-state-machine/4457975#4457975

    在3x PWM 中、 INHx 引脚控制每个半桥并支持两种输出状态:低电平或高电平。 更多信息、请参阅第8.3.1.1.2节。

    此致!
    阿克沙伊

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    请通读另一个线程。  它回答了很多问题(真正希望它在数据表中)。  谢谢你。

    最有帮助的是说明芯片在不同 PWM 模式和不同 tdrive 时的行为。  例如、

    1) 1)在6x PWM 中、运行中的唯一差异是否在真值表中?  还有一个字符串表明在6x 模式下、DRV 的 PWM 输入直接控制栅极状态。  什么是正确的?   (https://e2e.ti.com/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/637861/drv8323-various-pwm-modes) 

    2)如果 tdrive 太短而无法同时涵盖高电平和低电平栅极转换+死区时间、会发生什么情况?

    3) 3)如果 TDRIVE 时间长于同时实现高电平和低电平栅极转换+死区时间所需的时间、会发生什么情况?

    4) 4)对于上面的2和3、答案是否会根据 PWM 模式而变化?

    5) 5) TMS 死区如何影响信号的时序?  它们的时序是完全由2V 阈值和 DRV 死区决定、还是由 TMS 供源的死区影响 DRV 时序(对于6x、3x、1x)?

    谢谢。

    -S

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    嘿 Shemuel、

     我们已注意到 DS 所需的更改、并正在内部处理 DS 更新。

    1) 1)真值表说明了 PWM 模式的变化。 6x 模式下的 PWM 输入与 具有一定传播延迟的栅极信号相关。

    2) 2)如果 Tdrive 太小且在 tdrive 结束时尚未达到正确的栅极电压阈值、则您会收到栅极驱动故障。

    3) 3)如果 Tdrive 比需要的时间长、则出现问题的几率较低。 只是可以施加更长的 Idrive 电流。 并且不会检查 VGLS 的时间更长、因此如果栅极至源极短路、则会在短路期间施加更长的 Idrive、

    4) 4) PWM 模式的一般概念相同。

    5) 5)什么是 TMS 死区? 栅极驱动故障由与 TDIVe 和 Idrive 相关的高侧和低侧栅极电压阈值决定(DS 部分(8.3.6.5)

    此致!

    阿克沙伊

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    尊敬的 Akshay:

    TMS 死区是由德州仪器 TMS320F2879D 生成的死区、我们还将其集成在系统中。   我们了解它的作用是在给定相位的高侧和低侧命令输入之间产生延迟。  时序图显示了同时到达的高电平和低电平命令输入。  我们假设 TMS 死区的影响是在这两个信号到达 DRV 时产生相对延迟。  是这样吗?   

    总的来说、TMS 死区对 DRV 的运行和状态表转换有何影响?

    -S

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    嘿 Shemnuel、  

    因此、TMS 器件要添加正确的软件死区时间? 那么、其效果将是 INH 和 INL 现在将增加它们之间的时间、这将在 GH 和 GL 电压变化时耦合到其中。

    在 tdrive for GDF 结束时会检查电压阈值。

    此致!

    阿克沙伊

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    您好、Ashkay、很抱歉长时间没有来。  我了解到、每次 INH 和 INL 变化、都会导致 DRV 8353在6X PWM 模式下运行时的状态表发生变化。  INL 信号稍后到达导致的这种状态稳定变化将截断刚刚启动的 Tdrive 间隔并根据新的 INH/INL 状态启动新的 Tdrive 间隔。  这是不是正确的?   

    一般而言、我希望详细了解导致 DRV 开关 FET 的原因。  是否是 DRV 模块中描述的 Vgs 检测机制+ DRV 指定的死区时间?  如果需要、确定如何将稍后到达的 INL 信号纳入到高侧和低侧 FET 的 IDRIVE 应用时序的精确逻辑是什么?

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    嘿 Shemuel、

    TDRIVE 状态机的第一个作用是自动死区时间插入。 死区时间是外部高侧和低侧 MOSFET 开关之间的一段时间、用于确保它们不会发生跨导并导致击穿。 DRV835x 系列器件使用 VGS 电压监视器来测量 MOSFET 栅源极电压并确定正确的开关时间、而不是依靠固定时间值。 利用该功能、栅极驱动器死区时间可以调整系统变化、例如温度漂移和 MOSFET 参数变化。 可以插入一个额外的数字死区时间(tDEAD)、并可通过 SPI 器件上的寄存器对其进行调节。

    我对最后一个问题有点困惑。 您能再详细说明一下吗?

    如果是,确定如何将稍后 INL 信号到达的精确逻辑纳入到高侧和低侧 FET 的 IDRIVE 应用的时序中?

    这是您的问题所指的 DS 中的部分吗?

    "第二个作用侧重于防止寄生 dV/dt 栅极导通。 为了实现这一点、只要一个 MOSFET 正在切换、TDRIVE 状态机就在相反 MOSFET 栅极上启用一个强下拉 ISTRONG 电流。 该强下拉会持续 TDRIVE 时长。 当半桥开关节点电压快速转换时、该功能有助于消除耦合到 MOSFET 栅极中的寄生电荷。"

    此致!
    阿克沙伊

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    答案绝对不在数据表中。  例如、如果 INL 延迟到 INH 3us、但 TDRIVE 设置为2000nS、会发生什么情况?  什么是综合逻辑、包括 Vgs 感应、DRV 产生的死区、通过 INH/INL 信号插入的死区时间以及决定何时驱动栅极的 tdrive?

    例如、看看所附的示波器标题。  DRV 的 Tdead 设置为400nS。  然而、我将获得0个死区时间、并且很可能会出现一些击穿-这是怎么发生的?  只有 DRV 中的详细逻辑可以说明这个问题。

    主要
    黄色表示 A 相高侧栅极

    粉色是 A 相低侧栅极

    绿色是 B 相高侧栅极

    蓝色为 A 相电压

    白色是 A 相 Vgs

    -S

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    嘿 Shemuel、

    我将在下周进一步研究并提供反馈。

    此致!
    阿克沙伊

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    嘿 Shemuel、

    例如,如果 INL 延迟到 INH 3us,但 tdrive 设置为2000ns -会发生什么情况?

    高侧和低侧有单独的 Tdrive。 因此、INH 计时器会在 INL 计时器启动时到期。 此后、如果栅极电压不符合阈值、则会按预期触发故障。

    至于波形、我认为正在实现400nS 死区时间。  

     HS 在开启前等待400ns、

    此致!
    阿克沙伊

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    嘿 Shemuel、

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    如果您有更多问题或有新问题、请将其发布为新主题、敬请告知。

    此致!
    阿克沙伊