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您好
请验证电路、并为 MOSFET 控制器提供所用相位电机驱动器(DRV8350SRTVT)和 H 桥(CSD88599Q5DC) 的反馈、请提供更好的布局布线方式。 检查电路是否相互兼容
e2e.ti.com/.../nxt-question.pdf
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您好
请验证电路、并为 MOSFET 控制器提供所用相位电机驱动器(DRV8350SRTVT)和 H 桥(CSD88599Q5DC) 的反馈、请提供更好的布局布线方式。 检查电路是否相互兼容
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您好、Rony:
到目前为止、该原理图在 DRV8350方面看起来不错。 我需要进行全面审查、以解决您的第二个问题、即检查 DRV8350SRTVT 和 CSD88599Q5DC 是否按照您在原理图中所述的方式兼容。我将在下周进行全面审查。
同时、设计过程中需要考虑以下几点:
将大容量电容器和旁路电容器尽可能靠近 DRV 器件(VCP、CPH-CPL、VM、VGLS、DVDD、 AVDD、PVDD、GVDD 等)。
DRV 电容器应放置在 PCB 与 DRV 位于同一层、以确保不会由于电容器路径中放置了过孔而增加电感。
您还可以在此处将原理图与设计文件中的 EVM 原理图进行比较:DRV8350S-EVM 设计文件
此致、
亚拉
您好、Rony:
看了原理图后、一切看起来都很好、但是我有一些问题和注释。
在布局中、确保 VDRAIN 严格以 VCP 为基准、从而使 VCP 和 VDRAIN 的值保持接近。
2.确保 VDRAIN 与 FET 的漏极紧密相连
3、FET 的最大额定电压为60V (小于驱动器)对于额定值较高的 FET、您可以查看 CSD19535KCS
4.原理图这一部分的目的是什么?
4.以下是一些可进一步确认 FET 和驱动器是否兼容的资源、以及良好的原理图审阅资源:
此致、
亚拉