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器件型号：DRV8350 0V 和10V (它运行的地方)时 C_VCP 的电容的建议限制是什么？ TRM 显示"1uF 16V"。 我选择了符合这些建议的电容器、但它不够大、因此、我想寻找有关如何在不使电荷泵过大或导致启动问题的情况下选择一个更好的电容器的更多指导。 另外、看起来 EVM 使用的是1uF 100V 的电容器、这要大得多、我希望使用0603电容器。
我有一个设计、使用 DRV8353S 驱动12x IPTG014N10NM5ATMA1 (每个桥臂上2个并联)。 当我使用 CL10B105KA8NNN (10.5V 时为1uF 0603 25V、0.55uF)时、我的最新版本在 VCP 欠压故障方面不太可行。 使用示波器可以看到、VCP 稳压器显然无法将其输出开关保持在20kHz (我忘了保存图片、它永远不会工作)。 添加第二个这样的电容器似乎解决了问题、但电容似乎比建议的要大。
对于未来的版本、我找到了 GRM188R61H225KE11。 它有一个2.2uF 的标称电容、但在10V 的直流偏置电压下仍低于1uF。 使用它会产生什么问题吗？
以下是 两个 CL10B105KA8NNN 并联时 VCP 的样子(占空比~0%、因此全部3个半桥几乎同时开关、这应该是最坏的情况)：
我使用 FOC (SVM)以10 kHz - 20 kHz 的频率进行开关(受优化、无特殊要求)、因此它每个周期都会开关每个栅极。 每个 FET 的栅极电荷典型值为169nC。 这接近 栅极驱动电源上的25 mA 限值、但也应在其范围内。 我的设计采用65V 标称电机电压、并为 VM 提供15V 电源。
