专家、您好！
1.压降问题：
根据数据表、最大 RDS (ON)为0.85R、即使当输出为1A 时、 从 VM 到 A/Bout 的压降也将小于0.85V。
下面是我的测试：当 VM=9V 时、Aout 是8.3V、似乎可以。
但当 VM=19V 时、Aout 仅为16V。 压降(3V)似乎过高？ 如何改善压降？
关于电机、L=12mH 最大值、R=6.9Ohm+-10%
2.器件是否能检测到模数转换器的
2.1 Vbat、
2.2 接地
2.3 对方(如 A1至 B1)
尊敬的 Zhiyuan：
感谢您在此论坛上发布您的问题。 您会说"但当 VM=19V 时、Aout 仅为大约16V。 压降(3V)似乎过高？ 如何改善压降？ 关于电机、L=12mH max、R=6.9Ohm+-10%"、该测量是如何进行的？ 当步进器通电但不步进时、是否发生了这种情况？ IFS 设置是多少；VREF 电压和 TRQ_DAC 设置是多少？
"器件是否能够检测到 A/BOUT 短路至 2.1Vbat、 2.2GND 和 2.3 对方(例如 A1至 B1)"。 DRV8889-Q1集成了过流保护 OCP。 请参阅数据表中的以下代码片段。
此功能将允许您检测由于您列出的短路条件而导致的过流。 您还可以读取 DIAG 状态1寄存器以识别哪个 FET 具有 OCP 跳闸条件。 请参见下方的。
此致、Murugavel
专家、您好！
感谢您的答复。 第一个问题是 通过 示波器测量的、Pls 检查下面的波形、可以看到 CH3是 Aout1的电压、高电平电压仅为16V 左右。 我认为当高侧 MOSFET 开关的输出电压等于 VM-RDS(on )时,与输出电流相关的设置不会影响输出电压。
对于问题2、 如何检测 Aout1是否短接至 Aout2？ 0~3检测到位 Δ T 是否为1 (A 的所有4个 FET 均过流)？
如何检测 Aout1是否短接至 Bout2？ 位0、1、6、7为1？
尊敬的 Zhiyuan：
感谢您的澄清。 测量过程中的器件温度是多少？ 因为900 mΩ 是典型规格。 在25°C。 在125°C 芯片温度下、Rdson 总和可高达1.7 Ω 。在1A 电流下、压降可高达1.7V。这将接近17V。 在最高裸片工作温度下、Rdson 总和可高达1.9 Ω 。因此、 在1A 电流下、压降可能约为1.9V。在良好的19V VM 电源输入下、仍接近17V、而不是16V。
我使用了 DRV8889-Q1EVM、并捕获了在19V VM 电源下0.5A、1.0A 和1.5A 的电流波形、而使用 VM 测量了 ΔV μ A。 请确保将压摆率设置为最快的105V/us、以便输出幅度不受压摆率的限制。 您的波形看起来很好、我认为使用了正确的压摆率。 看到下面的示波器捕获。 我的测试是在室温下完成的、我通过快速测量并禁用电桥来确保器件不会过热。 在 0.5A 电流下、我预计 最大压 降为0.9 x 0.5 = 0.45V；在1A 电流下、我预计最大压降为0.9V。 对于1.5A 电流、我预计最大压降为1.35V。 我的测量结果符合要求。 请注意、这些器件已经过表征和验证、 可用于建立数据表规格限值。您是否还可以捕获 VM 以及与以下捕获类似的输出波形、并添加光标来测量 Δ Y 值？
其中 0.5A 电流：
1A 时：
在1.5A 下：
"对于第二个问题、 如何检测 Aout1是否短接至 Aout2？ 0~3检测到位 Δ T 是否为1 (A 的所有4个 FET 均过流)？" 这将取决于发生短路时导通的 FET。 请参见下方的。 在任何给定的时间只会导通两个 FET 一个 HS 和一个 LS。
"如何检测 Aout1是否短接到 Bout2？ 位0、1、6、7为1？"。 与上一个选项相同。 这将取决于在 SC 时哪些 FET 在 A 桥和 B 桥中导通。
此致、Murugavel
