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[参考译文] DRV8306:DRV8306、CSD88584 MOSFET 故障

Guru**** 722970 points
Other Parts Discussed in Thread: DRV8306
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/1297623/drv8306-fault-problem-with-drv8306-csd88584-mosfet

器件型号:DRV8306

您好、专家。

我在使用电机驱动器 DRV8306和 TI MOSFET CSD88584时会遇到问题。

我在 TI 的 EVM 板上观察完这款 MOSFET 后选择了该 MOSFET、该评估板采用了 DRV8306和 CSD88584 MOSFET。

我的系统由 ST 微控制器、三相 BLDC 电机(额定电流为0.5A)、DRV8306和 CSD88584 MOSFET 组成。

在过去的一两个月里,一切都很顺利。 但是,我最近发现了一些问题。 当我上电(24V)时、连接以检查是否存在错误的 nFault LED 每次都会亮起。 即使在复位后、它也会短暂显示为正常、但随后返回到 nFault 状态。

最初、我怀疑栅极驱动设置。 我没有连接栅极电阻器(浪涌电流)、并且在 TI 的 EVM 板上也没有栅极电阻器。 我在数据表上看到、智能栅极驱动器系统不需要外部元件(二极管、栅极电阻器)。

关于我的 IDRIVE 设置、当我计算得出 Issource Qgd / tr -> 26nC / 24ns (外部 MOSFET CSD88584)时、电流超过了1Amp。 这似乎是不合理的、尤其是考虑到我观察到的上升时间通常在100ns 到300ns 之间。

其次、MOSFET CSD88584的数据表显示了50kHz 的最大开关频率。 因此、我将其设置为50kHz。 这不合适吗? 如果我的计算或设置中有任何错误、请告知。

我感谢任何指导。

此致。

 135mA 设置。(IDRIVE / 270mA 拉电流/灌电流设置)

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Ian:

    是否仅在尝试旋转电机或器件已通电但并未命令电机旋转时才出现故障? 我建议查看我们有关调试硬件变体器件的常见问题解答、因为它可以更好地帮助您确定导致故障的原因: https://e2e.ti.com/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/1160331/faq-debugging-faults-with-hardware-variant-devices。

    关于我的 IDRIVE 设置、当我计算出 Issource Qgd / tr -> 26nC / 24ns (外部 MOSFET CSD88584)时、电流超过了1安培。 这似乎是不合理的,尤其是考虑到我观察到的上升时间通常在100ns 到300ns 之间。[/引述]

    您的目标是实现24ns 的上升时间吗? 根据 IDRIVE 设置、您将使用100ns -预计上升时间为300ns。

    其次、MOSFET CSD88584的数据表指示最大开关频率为50kHz。 因此、我将其设置为50kHz。 这不合适吗? 如果我的计算或设置中有任何错误,请告知。

    我们通常建议使用20kHz、但如果您更喜欢使用更高的开关频率、这很好。 请注意、使用更高的开关频率将导致更高的开关损耗。

    此致、

    约书亚

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    感谢您的回答。 我将尝试使用该列表进行调试。