[参考译文] MSP430F5638：MSP430 加载程序错误

擦除/写入周期最小为 10K、典型值为 100K。 它可以走很多,但 10K 是所有你可以指望的。 但随机地能够对设备进行编程表明这不是问题。

更有可能是编程接口的某些方面是边缘的、现在才会触及到您。 可以看到该器件同时执行标准 JTAG 和 Spy-by-Wire。 后者对 RESET 引脚上的电容有急剧限制。 在任何情况下、如果硬件支持、请同时尝试这两种方法。

感谢您的信息、将了解 Spy-by-Wire。 如何对闪存进行批量擦除、也想尝试一下。

我对 CCS 一无所知、但 mspdebug erase 命令提供了控制擦除内容的选项、包括“all"。“。 更重要的一点。 我对此会非常小心。 确保它不会首先擦除校准常数等有用的内容。

默认是擦除所有代码存储器。 这是正常的做法。  

尊敬的 Ted：

要使用 CCS Eclipse 对器件发出批量擦除命令、请参阅此 E2E 主题。

在 CCS Theia 中、可从以下位置访问该视图：

• 转至 Project->Properties->Debug->Category: MSP430 Flash Settings

此致、
Brian

您好、Brian、

感谢您的信息、但我查看了链接、在 CCS 12.8.1 中没有看到“我可以执行批量擦除？“

尊敬的 Ted：

对产生的混淆、我深表歉意、这似乎是 CCS 12.8.1 的限制。 我找到了另一种执行批量擦除的方法。 这涉及使用 Uniflash。 启动会话后、您可以在“Settings and Utilities“（设置和实用程序）选项卡中执行批量擦除。

此致、
Brian

谢谢 Brian、我会再来看看

下载并安装 Uniflash、通过 USB 和 MSP-FET 连接到 SBC。 它看到 MSP430F5638 并可以执行批量擦除。 但在我加载或验证 Uniflash 时仍然收到加载程序错误

尊敬的 Ted：

您可以尝试加载 以下 SDK 示例吗？
e2e.ti.com/.../MSP430F66xx_5F00_1.c.zip

此致、
Brian

尊敬的 Ted：

您可以尝试一下 批量擦除后读回所有闪存数据 ？

我认为、如果 闪存耐久性耗尽、它们的闪存不是全部为 0xFF、那么当您下载新映像时、可能会触发加载错误。  

另一点,正如 Brian 提到的,你可以尝试我们的例子,看看图像是否有一些问题,但我认为这种 可能性很低。

谢谢！

此致

Johnson

感谢 Brian & Johnson、

我遇到了另一个问题 — CCS 找不到 make、但我修复了该问题（另一个 E2E 帖子）。 此时、我尝试了很多方法来修复加载程序错误、工程已损坏、CCS 编译无法看到任何更改、因此必须重新创建工程。 完成后、我将尝试加载上面的 SDK 示例。

我怀疑复位电路中的电阻器和电容器会尝试更换。

如果 MCU 达到写入/擦除 EOL、存储器会是什么样子？

尊敬的 Ted：

超过 10K W/E 周期时、无法保证闪存、写入/擦除/读取时间将超出规格。

此致、
Brian

我怀疑复位电路中的电阻器和电容器会尝试更换。

如果 MCU 达到写入/擦除 EOL、存储器会是什么样子？

F5xx 在 RESET 引脚上带有内部上拉电阻、因此无需外部上拉电阻即可工作。 RESET 引脚上的电容器也将与 SBW 信号“战斗“。 如果不使用这两种（RC 组合）、SBW 应该可以正常工作。

F5xx 具有边缘读取支持、因此如果在刷写期间出现某些问题（例如闪存单元损坏，即使是刷写后验证也没关系且没有错误）、将会出现边缘读取错误。 不知道您使用的工具是否支持此功能。

谢谢 Zmo、

请澄清一下、我使用的是 JTAG、而不是 SBW、您说我在复位电路中不需要电阻器和电容器吗？

复位引脚用于 SBW 主器件与目标器件之间的数据交换。 每次状态从零变为一个或相反时、目标器件复位引脚上的电容器都会进行充电/放电。 更高的电容加上更高的 SBW 接口速度将会失效。

5xx/6xx 系列应在无噪声环境中正常工作、电源稳定、RESET 引脚上没有 RC 组合。

但是、您使用的是 JTAG、在这种情况下、我的注释（与复位引脚上的 RC 相关）无关紧要。 静止边缘读取可用于在批量擦除或写入所有闪存单元后检查是否正常（数据保留）。 即使 JTAG 主器件（或 MSP430.dll）不支持边缘读取、也可以将边缘读取程序下载到器件 RAM 中并从此处执行。 它由 slaa729 涵盖。