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[参考译文] MSP430FR6989：引导存储器和引导加载程序(BSL)存储器-有何区别？

admin
Guru**** 2503735 points
Other Parts Discussed in Thread: MSP430FR6989

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/msp-low-power-microcontrollers-group/msp430/f/msp-low-power-microcontroller-forum/1107237/msp430fr6989-boot-memory-and-bootloader-bsl-memory---what-s-the-difference

器件型号：MSP430FR6989

此微控制器数据表(SLAS789)第133页的表6-45 "存储器结构"显示了一组被称为"引导存储器(ROM)"的地址。 它还显示了另一组称为"引导加载程序(BSL)存储器(ROM)"的地址。

  • 存储在称为"引导存储器(ROM)"的地址集中的数据的用途是什么？
  • 该数据是否与存储在存储器的 BSL 部分中的 BSL 程序相关？
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    TI__Guru**** 2503735 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Thomas：  

    否、它们是单独的。 引导代码存储在引导存储器中。 此空间 包含存储的振荡器校准值和基准电压。  

    为了获得全面全面的理解、我将查看用户指南。

    在《MSP430FR6989 用户指南》中、请参阅第1.9-1.11节。 我还会控制 F"boot"、因为有许多不同的内容需要阅读。  

    此致、

    Henok

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    TI__Guru**** 2503735 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    谢谢你。