[参考译文] MSP430F2619S-HT：MSP430高温写入闪存问题

尊敬的 Jace：

感谢您的回答和建议。 我们更关注140C 故障、因为预计会出现150C 以上的问题。 在开始此调查之前、在不同的测试中、140C 时失败的工具可能略高于150C。 是否可以将芯片置于高于其指定温度的位置，从而永久损坏闪存，从而使其无法正常工作并低于其指定温度？ 如果是、我们可以尝试在一些从未见过温度保持在150以下的新电路板上运行测试。

我们使用示波器和触发器监控 MSP430电源、以确认写入期间没有电压下降。

在累积的写入时间方面、我认为我们没有违反这一点。 由于我们使用的频率为364kHz、因此编写一个字大约需要80us。 一个块为64字节、因此我们的累积写入时间为2.54ms。 是这样吗？ 即使我们要写入8个字，等待10秒，然后再将8个字写入同一个块中的下一个可用空间，如果我理解正确，这不会影响累积时间？

我们不会在此测试代码中执行擦除、因为我们始终会写入内存中的下一个可用空间、该空间为空。 建议在写入前删除一个空的512字节段、即使没有写入任何内容也是如此？

尊敬的 Jace：

我知道、如果达到累计时间、您需要对段执行擦除、但在我们的方案中、如果计算正确、我们在每个64字节行上仅花费2.54ms、因此永远不会达到累计时间？ 如果不是，请告诉我？

当我们在运行新测试之前对固件进行重新编程时，所有512字节段都将在测试开始前被擦除，所以我想在这种情况下，每64字节行的累积写入时间都会被重置？

 为供您参考、我们对每个字使用 Word Write 方法、以便向相同的64字节行写入32次以填充该字。

如果您可以确认我们没有违反累积写入时间、我们可以继续在未检测到温度的新电路板上使用相同的代码、以查看将此代码置于150°C 以上是否会在140°C 时导致问题。

您好 Neil、

是的、当您启动新测试并运行 所有 段时、您的累计写入时间将被重置。 您对新测试的定义是小时温度均热还是测试模式每写入10秒之间的温度？ 我可能无法理解您的测试。  

如果在每个10秒间隔写入测试之间或至少在其他10秒模式之间没有擦除、 则会出现问题。 这里的主要问题是在擦除之前写入特定字的次数。   " 同一个16位闪存字在下一个擦除周期前不能被编程超过两次。  "

 因此、如果您通过擦除和重新编程、然后每10秒写入一次闪存而不进行任何擦除、那么您在擦除之间写入特定字大约360次。  

我将尝试更清楚地描述测试。

从您打开 MSP430的那一刻起、代码将开始将这个16字节测试模式写入到闪存存储器中的下一个可用位置(它扫描以找到下一个空段、所以处理复位)。  它从不会写入同一个位置两次。 它将写入下一个可用位置。 我们开始写入地址0x10000 (FLASH2)

我们每隔十秒就会编写一个测试模式、因此每隔40秒就会填充一个64字节的行、然后移到下一行。 512字节段中有8行。 填充这些内容后、我们将继续下一个句段、依此类推。

在我们的测试中、我们打开烤箱、将其设置为135C、然后启动 MSP430。我们等待一小时、然后将温度提高5C、等待一小时等、因此在135C、140C、145C 和150C 上以一小时的步长进行测试。

然后关闭电源，系统冷却后，我们将读取整个内存。 当我们每10秒写入一次时、我们可以查看图形何时以及在什么温度下不再正确。 由于我们的测试很短、因此闪存永远不会完全填满。

在 下一个擦除周期之前、使用"语句、同一个16位闪存字不能被编程两次以上。  “我假设这意味着您不能将相同的16位字写入同一位置？ 还是64字节行中的任何位置。

我想我们在同一行(不同位置)中写入相同的字4次、因为有4倍的相同16字节模式、所以这可能是问题吗？

好的、所以每10秒、你就会在你设置的模式中写入下一个字。 是这样吗？  那么、您再也不会写入同一个字位置？

语句"在下一个擦除周期前、同一个16位闪存字不能被编程两次以上。"   这意味着在擦除之前、闪存中相同的16位字位置不能被写入两次。

为了确认、在测试之间、在您再次读取闪存后、器件将被擦除并重新编程、然后再卡在试验箱中？  必须在 CCS/IAR 中使用一个设置 来批量擦除器 件、否则 IDE 只能擦除它正在编程的存储器部分。  

您还可以在查看闪存模式期间以边界读取模式查看闪存。 这可以为您提供有关闪存在这些位置的一些附加信息。  

你(们)好

我们每隔10秒就会将测试图形写入闪存中的下一个可用位置、因此切勿再次写入同一位置。

存储器启动看起来是这样的。 我添加了时间戳。

对于测试模式中的每个字、我们都使用此过程。

我们已通过在 CSS 中上载固件、让其运行一个位、然后重新上载固件并确认从0x100000 返回到0xFF 的所有字节来检查是否存在批量擦除。

我们将研究这个边界读取模式。

谢谢、

Neil