请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
器件型号：MSP430F5229 我有兴趣尝试使用 MSP430F5229进行 EEPROM 仿真、以存储一些数据、应用程序将在运行时定期更新这些数据。 我从一些最坏情况的估计中知道、数据的部分可能会按每分钟一次的频率进行更新和更改。 此外、需要像 EEPROM 那样保存和处理的数据总量超过了这个 MSP430上的其中一个 INFMMEM 段的大小(128字节)。
我的第一个想法是尝试使用所有4个 INFMMEM 段、每次填充一个段和需要更新的值时、我会将其复制到具有更新值的另一个段、然后擦除上一个段、 但我不相信这样做是可行的、因为我们将拥有的数据量和某些数据更改的频率、同时仍保持产品的合理寿命(~10年)。 我知道、我可以(并且可能需要)分配其他闪存段用于此数据、而不是 INFMMEM、以减少段需要擦除的频率、从而延长产品的寿命。
之前我使用过 Renesas 公司的 MCU、这些 MCU 具有数据闪存段、而 Renesas 公司提供了一些工具来在这些段中实现 EEPROM 仿真。 除了切换到 MSP430 FRAM 系列中的 MCU 之一之外、TI 是否还提供任何工具来帮助实现 EEPROM 仿真并管理 MSP430上的磨损矫正？ 还是唯一一种定义我们自己的磨损矫正算法和用于 MSP430的 EEPROM 实现的解决方案？
