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[参考译文] MSP430G2553:循环通电期间闪存损坏- GAH!

Guru**** 2538930 points
Other Parts Discussed in Thread: MSP-FET

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/msp-low-power-microcontrollers-group/msp430/f/msp-low-power-microcontroller-forum/1022342/msp430g2553-flash-memory-corruption-during-power-cycling---gah

器件型号:MSP430G2553
主题中讨论的其他器件:MSP-FET

这种情况间歇性发生-某些设备始终如一地执行、而其他设备则从未执行。

大多数情况下、信息 B 区域(0x1080)被擦除(0xFF)。  请参阅下面的图1。  在下电上电期间始终会发生存储器损坏。   

今天、其中一个器件完全停止工作。  我检查了它的存储器、发现一些代码闪存存储器损坏-看起来它写的大部分是零。  电池发生时、我反复更换电池。   在这种情况下、位被写入(0)。  

该器件由电池供电。  我确实有闪存擦除和写入例程、但它们在需要校验和等的 UART 活动期间调用、这里不会发生这种情况。  我猜堆栈指针会在加电(或断电)时变小、并执行其中一些闪存代码、但这只是一个猜测。  该代码最初是使用 MSP-FET 调试器写入处理器的。

有什么想法?   

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    BTW、复位时没有电压监控器。  我将在那里查看一下这是否能解决问题、然后重新设计电路板(如果可以的话)。   

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    您好、Andrew、

    请查看以下应用手册、以帮助您调试此闪存损坏问题。  

    《调试 MSP430 MCU 中的闪存问题》  

    很可能、如果 电池的漏电发生问题、电压会降至您所用频率所需的最小值以下、从而导致意外执行。 当与闪存写入例程和缓慢斜降配对使用时、您可以像这样损坏闪存。 一个外部 SVS 将确保器件在这些加电区期间保持在复位状态、从而防止意外执行。  

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    该链接不起作用。  但你的回答给了我一个想法。  处理器电源上有很多电容、因此当电池被取出时、断电可能会很慢。  也许我可以检测电池被移除、并启用负载来提高电源的压摆率。   

    尽管将添加 SVS、但我现在已经有数千个这些产品在架子上。  这是我立即关注的问题。   

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    抱歉、现在链接应该正常。