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[参考译文] MSP430闪存位编程限制。

Guru**** 2577385 points
Other Parts Discussed in Thread: MSP430I2041

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/msp-low-power-microcontrollers-group/msp430/f/msp-low-power-microcontroller-forum/1027676/msp430-flash-bit-programming-limits

数据表清楚地说明了总的闪存编程时间限制、并且还将擦除之间的字编程限制为最多两次。 但是、不清楚的是写入1是否被视为编程。 我想在一个闪存字中有16个标志、并根据需要单独对每个位进行编程。 我不会多次向任何位写入0、但一个字最多可编程16次(每次写入不同的位)。 这是否违反了规则?
以保持清晰。 我将从一个已擦除的字(1111 1111 1111)开始。
然后、我将使用(1111 1111 1110)对其进行编程
然后再次使用(1111 1111 1101)
再重复一次(1111 1111 1011)
第四步。

有什么意见或见解?

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    尊敬的 Ian:

    您使用的是什么 MCU? 另外、前面的主题 "MSP430I2041:将数据写入闪存"可以回答您的问题。 詹姆斯的答复特别涉及他第一次答复后一节中的编程。

    此致、

    Luke

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    我怀疑它会起作用、但如果你这么做的话、你会超过累积编程限制。(这是关于将编程电压应用到块的。)  这不会花费太多。 我整理了一个随机数据表、如果振荡器频率接近其最小值、那么只对64字节块执行32字节/字写入可能会超过限制。

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    MSP403F2410。 感谢这一联系,但它没有果断地解决这一问题。

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    感谢您的意见。 我想我必须在每次写入之间安全地执行擦除操作。

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    尊敬的 Ian:

    对于快速版本、即使在单个位中从1-0进行编程也被视为2写入限制中的编程。 当您从0-1返回时、您需要一个擦除周期、因此对于您的示例、您需要在每个示例之间进行擦除。   有一个针对稳定性的2写入限制、解释可在 MSP430闪存特性 部分3.3中找到。 如果您认为 David 的回答解决了您的问题、请选择它解决了您的问题。

    此致、

    Luke