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器件型号：EVM430-FR6989 尊敬的 MSP 团队：
我的客户 正在进行一些最终评估、他们询问了抗噪性、因为他们正在对器件施加磁场、并看到读数发生变化(在 ESI 电感式传感器附近使用磁体)。
我建议通过 AFE2再次检查校准：
4.6最佳 DAC 电压电平设置：
ESI 中的 DAC 为比较器生成基准电压。 为了消除或减少当输入信号电压接近 DAC 的电压基准时的振荡、使用两个 DAC 寄存器"ESIDA1R0"和"ESIDAC1R1"为模拟迟滞提供两个基准电压。 当传感器位于转子盘的金属和非金属部分的边界线上时、这一点尤为重要。 问题是这两个级别的分离应该有多大。 如果间隔较小、则可能经常发生振荡。 如果过大、则会增加最大和最小传感器信号之间所需的电压差、进而缩短检测距离。
然后、信号的噪声水平是实现最佳模拟迟滞设置的重要数据。 通过仔细观察传感器信号(请参阅图11)、当传感器位于光盘的金属或非金属部分时、会产生很小的噪声。 可以在信号电平所在的任何位置测量该噪声。 由于噪声振幅在"噪声级别"范围内(很少超过该范围)、因此可以将最佳迟滞设置设置设置设置为信号正负电平的最大值和最小值之间的中点电平。
噪声水平是在转子盘未转动时测量的。 函数"find_noise_level（)"负责此测量、其中"FindDAC_Fast_Range（)"是搜索信号电平的算法。 此功能用于测量传感器保持在光盘上的同一位置时0.5秒内的信号变化。 然后、噪声级别是测量数据的最大值和最小值之间的差值。
您对此有什么看法、还是对如何解决此问题有其他想法？
谢谢、此致、
胡安。
