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[参考译文] MSP430F449:闪存损坏?

Guru**** 670830 points
Other Parts Discussed in Thread: MSP430F449
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/msp-low-power-microcontrollers-group/msp430/f/msp-low-power-microcontroller-forum/994482/msp430f449-flash-corruption

器件型号:MSP430F449

您好!

我正在尝试解决我在 现场的产品 Ihave 中使用的 MSP430F449上出现的问题。  产品有时会出现更高的 ESD、有时仪器(使用 MSP430F449)会失去程序、并且无法正常工作。

 

将十六进制文件重新加载到 MSP430F449后、仪器将恢复正常、因此我相信这会显示闪存已损坏。

 

请告诉我这是否是您熟悉的问题,以及您是否需要我们提供任何其他信息来帮助您解决此问题!

谢谢、

Adam

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    [将此文件归档在"民间传说"下:]

    几年前(F2系列)我有一个唤醒电路,有时/经常向 MCU 提供电压尖峰(>5V,<-1V),有时我看到闪存损坏--我怀疑这不是巧合。

    TI (我认为很敏感)未指定在超出规格的情况下运行器件时会发生什么情况。 这些尖峰可能会(但幸运的是没有)永久炸坏 MCU。 电路板设计人员应确保 ESD 远离 MCU。

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    尊敬的 Adam:

    正如 Bruce 已经指出的、不受控制的 ESD 事件会导致这种类型的问题(以及许多其他问题)。 这很可能对电源电压产生更大的影响、但如果 IO 引脚上发生 ESD 事件、如果 ESD 二极管向 VCC 灌入大量电流、这也会影响器件电压电平。

    有关更多详细信息、请查看以下资源。