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[参考译文] MSP430F5438A:在快速功率循环期间可能发生的闪存损坏或质子束问题

Guru**** 2540720 points
Other Parts Discussed in Thread: MSP430F5438

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/msp-low-power-microcontrollers-group/msp430/f/msp-low-power-microcontroller-forum/1000143/msp430f5438a-possible-flash-corruption-during-rapid-power-cycling-or-proton-beam-issues

器件型号:MSP430F5438A
主题中讨论的其他器件:MSP430F5438

最近,我们对一个具有 MSP430F5438的设计进行了辐射测试。 质子束位于器件上、我们正在快速为器件循环供电(大约每20-30秒循环一次)。 在测试中的某个点、MSP430未启动。 在后分析中、闪存似乎已损坏。  我们在经过几千个功率周期后进行的另一项测试中经历了这种类型的事件、没有辐射。 我想知道在 MSP430上电期间是否有任何条件可以使闪存损坏?  

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Fred、

    MCU 的所有操作(包括闪存)都需要在规范范围内。 有关规格、请参阅数据表。

    如果有一些打印不符合规格、则可能会出现不可预测的问题。

    谢谢!

    此致

    Johnson