工具/软件：Code Composer Studio
您好！
如何将应用程序代码更改为从 addres @4000开始？
因为在 BLS Scripter 上，我对地址有问题：
[ERROR_MESSAGE]地址无效！
如果手动将默认地址@0000更改为@4000、BSL Scripter 可以刷写 MSP432E401。
以下是我的应用程序.txt 输出格式设置：
以下是我的应用程序.txt 代码：
下面是 BSL Scripter 的示例 txt 应用程序：
另一个问题是、我是否必须首先刷写引导加载程序、而不是应用程序？
如果应用程序的起始地址为@4000，它是否会影响地址为@0000的 Boatloader？
此致、
Michael
在"MSP432e401y.cmd"文件中、我可以将 APP_BASE 地址更改为0x00004000：
(小部分 /* 禁止警告和错误： // //*#10199-D CRC table 运算符(crc_table_for_<>)被忽略： CRC table 运算符不能与空输出段相关联 */ -diag_suppress=10199 --retain=interruptVectors #define APP_base 0x00004000 内存 ｛ 闪存(RX)：origin = APP_BASE，length = 0x000FC000 SRAM (rwx)：origin = 0x20000000，length = 0x00040000 }// 以下命令行选项是作为 CCS 项目的一部分设置的。 */ /*如果您使用命令行进行构建，或者出于某种原因想要在 此处定义*/*，则可以根据需要取消注释并修改这些行。 */ /*如果您使用 CCS 进行编译、最好 在 CCS 工程中进行任何此类*///*修改并将此文件单独保留。 */ * // /*--heap_size=0 */ *--stack_size=256 /* --library=rtsv7M4_T_le_eabi.lib 内存中的*//*段分配*/ 段 ｛ .intvecs：> app_base .text：> FLASH .const：> FLASH .cinit：>闪存 .pinit：> FLASH init_array：> FLASH .vtable：>0x20000000 .data :> SRAM .bss：> SRAM .sysmem：> SRAM .stack：> SRAM } __stack_top =__stack + 512；
这会更改闪存上的主地址，但我的调试器会在 main()中放置一个断点。
我无法启动程序代码、在反汇编中它会保留在这里：
调试器详细输出如下：
Cortex_M4_0：GEL 输出：
内存映射初始化完成
Cortex_M4_0：闪存编程器：启用详细输出
Cortex_M4_0：闪存编程器：DLL 3.3.0.1版
Cortex_M4_0：闪存编程器：发现非法的复位矢量地址
Cortex_M4_0：写入 Flash @地址0x00004000、长度0x00001068
Cortex_M4_0：闪存编程器：器件初始化完成
Cortex_M4_0：闪存编程器：对闪存进行编程
Cortex_M4_0：闪存编程器：写入速度34.5 KB/秒
Cortex_M4_0：闪存编程器：退出闪存编程
有什么想法吗？ 我是否必须更改其他任何内容？
好的、我现在开始工作了。
在项目属性上、我按如下方式设置调试闪存设置：
