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[参考译文] MSP430F5358：FRAM 和闪存的读取吞吐量

admin
Guru**** 2392435 points
Other Parts Discussed in Thread: MSP430F5358, MSP430FR5994

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/msp-low-power-microcontrollers-group/msp430/f/msp-low-power-microcontroller-forum/944602/msp430f5358-read-throughput-of-fram-and-flash

器件型号：MSP430F5358
主题中讨论的其他器件： MSP430FR5994

你(们)好

在写入访问时、FRAM 和闪存在访问延迟、访问吞吐量、访问过程等方面存在很大差异。

但在阅读访问时、我认为它们之间几乎没有什么不同。  正确吗？

我想知道 FRAM (例如、在 MSP430FR5994中)和闪存(例如 、在 MSP430F5358中)之间的读取访问延迟和吞吐量有多大差异。

谢谢、此致、

哈塔。

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    TI__Guru**** 2392435 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    如果闪存是逐字节写入的、则写入访问有很大差异。 如果在启用智能模式的情况下使用闪存块写入、则闪存写入速率可能超过200 KByte/sec、并且与 FRAM 相关的性能没有很大差异。

    在读取方面、具有等待状态的 FRAM 比闪存慢。

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    TI__Guru**** 2392435 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    你(们)好

    读取访问权限如何？

    我想特别了解阅读访问。

    谢谢、此致、

    哈塔。

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    TI__Guru**** 2392435 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Hata、您好！

    如 Zrno 所述、FRAM 读取访问取决于所使用的系统时钟、可能需要引入等待状态以实现更高的系统时钟。 MSP430F 器件中没有这种限制、因为它们基本上是单周期读取。

      MSP430FR5994 数据表(https://www.ti.com/lit/gpn/msp430fr5994)的第5.12.12节 FRAM 包含 FRAM 器件的必要信息。 如果 NWAITSx = 0、则读操作需要1个周期； 如果 NWAITSx = 1、则需要2个周期。

    Srinivas

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    TI__Guru**** 2392435 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    非常感谢！