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[参考译文] MSP430F2618：闪存数据保持

admin
Guru**** 2391415 points


请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/msp-low-power-microcontrollers-group/msp430/f/msp-low-power-microcontroller-forum/939818/msp430f2618-flash-data-retention

器件型号：MSP430F2618

闪存电荷保持是指闪存单元在长期存储期间保持其编程值的能力。 在这里、"已编程"表示逻辑0？  

但我对下面的描述感到困惑、例如"泄漏只能使具有逻辑电平1的已擦除电池翻转为具有逻辑电平0的已编程电池"。

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    TI__Guru**** 2391415 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好！

    您必须查看应用手册 MSP430闪存特性(修订版 B) (https://www.ti.com/lit/pdf/slaa334)。  

    [引用 USER="user1407287"]此处，“已编程”表示逻辑0？

    如第2节所述、这是正确的。  文档的"简化的闪存单元"。

    [引用 USER="user1407287"]但我对下面的描述感到困惑，例如，“泄露只能将具有逻辑电平1的已擦除电池翻转为具有逻辑电平0的已编程电池”。

    如应用手册的第2节所述、默认情况下、所有电池都会被擦除并表示"1"、需要编程为"0"的电池会被编程为0。 泄漏仅发生在具有完全充电(正)浮动栅极为1的电池上。 因此、泄漏只能发生在表示"1"的电池上。 当它们被设定为"0"时、浮动栅极正电荷被销毁、因此这些0上没有任何"泄漏"、因此将保持为0。

    希望这会有所帮助。

    Srinivas

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    TI__Guru**** 2391415 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好，感谢    您的回复。  

    如应用手册的第2节所述、对浮动电池进行负电压充电意味着对代表"0"的电池进行编程。  

    为什么泄漏仅发生在具有正电荷浮动栅极的电池上？ 具有负电荷浮动栅极的电池怎么样？

    我认为只有电子才能从浮动栅极移动。

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    TI__Guru**** 2391415 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好！

    应用手册的第1个参考(Y. Manabe、《使用薄隧道氧化物详细观察闪存中的小泄漏电流》、IEEE Std 1998、pp 95–99)中有一个解释、说明电子如何向栅极发射、从而导致电荷中和； 从而导致电荷泄漏。

    Srinivas

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    TI__Guru**** 2391415 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好！  

    我 下载了第一个参考、发现泄漏机制的描述是不同的。  不同的描述可能会导致相反的泄漏故障现象(逻辑1至0或逻辑0至1)。

    应用手册的描述如下。

    第1个参考的描述如下。

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    TI__Guru**** 2391415 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    大家好、Srinivas、

    是否有进一步的解释？

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    TI__Guru**** 2391415 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好！  

    是否有任何进一步的信息？

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    TI__Guru**** 2391415 points
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    您好！

    您能否告诉我们这些问题是否与您所在站点的持续产品资质或您观察到的与实际闪存相关的意外行为有关？
    到目前为止、我可以在这里评论、TI 应用手册中记录的泄漏路径是在建立此技术时观察到的路径、技术专家编写了此文档。

    尤其是隧道效应导致被擦除的电池(逻辑1在浮动栅极上具有正电荷)通过电子通过缺陷(隧道)移动到浮动栅极而缓慢降级到逻辑0的影响。 然而、多年来、该技术 得到了显著改进、以防止此类行为。 这已通过多种工艺和器件资质的验证。

    因此、如果您可以就您的问题分享更多背景、TI 或许能够在这里更好地帮助您。 但是、我们无法对 TI 非拥有的给定参考进行解释或评论。 此类问题需要向相应的文档所有者提出。