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[参考译文] MSP430FR5739-EP：是否有更多背景数据可用于&quot；总电离剂量(TID)和单粒子效应(请参阅)测试报告、具有嵌入式 FRAM 的 MCU MSP430FR5739 EPI&quot；？

admin
Guru**** 657930 points
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/msp-low-power-microcontrollers-group/msp430/f/msp-low-power-microcontroller-forum/944415/msp430fr5739-ep-is-there-more-backgound-data-available-to-total-ionizing-dose-tid-and-single-event-effects-see-test-report-mcu-with-embedded-fram-msp430fr5739-epi

器件型号：MSP430FR5739-EP

除了图3中显示的 SRAM 交叉部分外、我手头上的德州仪器的报告没有提供有关 SEU 速率或交叉部分的详细信息。 我想让器件的其他部分有更多数据、以便能够与另一份有关非 EPI 版本的报告进行比较、从而了解 EPI 版本和非 EPI 版本之间的 SEU/SET/SEFI 性能是否存在差异。

BR、JTM

  • 0
    TI__Guru**** 657930 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好 JTM、

    我将对此进行研究、并将在我有更多可用信息时告知您。