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器件型号：MSP430FR6989 在闪存中、使用了劣化技术来最小化擦除周期。 我想使用 FRAM 最小化擦除周期。 我的想法是、只要存在任何数据、就将数据写入连续的单元格。 如果我填充了整个存储器、我将从头开始。 这是一个好主意、还是我必须执行其他操作？
在闪存中、使用了劣化技术来最小化擦除周期。 我想使用 FRAM 最小化擦除周期。 我的想法是、只要存在任何数据、就将数据写入连续的单元格。 如果我填充了整个存储器、我将从头开始。 这是一个好主意、还是我必须执行其他操作？
