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[参考译文] CCS/MSP430F5529：MSP430F 闪存存储器写入/读取

admin
Guru**** 2511985 points
Other Parts Discussed in Thread: MSP430F5529, MSP430F5519

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/msp-low-power-microcontrollers-group/msp430/f/msp-low-power-microcontroller-forum/771477/ccs-msp430f5529-msp430f-flash-memory-writing-reading

器件型号：MSP430F5529
主题中讨论的其他器件： MSP430F5519

工具/软件：Code Composer Studio

尊敬的 TI 团队：

我目前正在尝试使用 code composer studio 在 MSP430F5529的闪存中写入一组数据。 我已经设法将这些数据复制到信息 A、B、C 和 D 部分、并且它按预期工作、因为我可以通过内存浏览器查看这些数据、即使在我对板进行了拆分之后、 这意味着即使没有再供电、这些数据仍在输入中。  

问题在于、这些段上没有足够的位置(仅128B)。 所以我尝试在主程序组 A、B、C、D 上执行同样的操作：代码内存、闪存(每个128KB)。

问题在于、我仍然能够在该部分写入数据、但每当我退出调试或对电路板进行拆分时、这些数据都会被擦除、并且我无法再通过内存浏览器找到这些数据。 是否有可以解决此问题的方法？ 这些数据是被擦除还是移动到其他地方？  

您可以在此处找到 MSP430F5519的存储器组织。

有什么建议可能会对我有所帮助？  

感谢您的帮助、

此致

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    TI__Guru**** 2511985 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    请显示书写代码。

    如何避免与代码发生冲突？
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    TI__Guru**** 2511985 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    嗨、Florent、

    我们有一个写入 BSL 闪存的示例、与您正在执行的操作类似、可在以下位置找到： dev.ti.com/.../

    要获得进一步的支持、我们需要查看固件。 我们还可以在链接器中对存储器进行分段、以确保它不会被用作程序空间。

    如果无法公开共享代码、请随时向我发送消息。

    谢谢、
    JD
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    TI__Guru**** 2511985 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    大家好、

    我终于找到了我的问题所在。 我已正确写入闪存存储器、但在调试时有一个选项可擦除所有组 A、B、C、D 闪存数据(主代码存储器)。 我必须更改此选项以选择我要擦除的存储器范围、然后我能够将数据保存到闪存组 D 中

    感谢您的帮助、

    此致、

    弗洛伦特