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[参考译文] MSP430F5659:写入或擦除闪存时压降的影响

Guru**** 2534260 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/msp-low-power-microcontrollers-group/msp430/f/msp-low-power-microcontroller-forum/842939/msp430f5659-effects-of-voltage-drop-while-writing-or-erasing-flash

器件型号:MSP430F5659

1) 1)如果在微控制器写入擦除闪存存储器时、电源电压降至低于 SVS 电平的值、会发生什么情况? 闪存是否有损坏的风险(除了此时正在写入的字节)?

2) 2)在相同情况下会发生什么情况、但禁用 SVS 且电源电压降至1.8V 以下时会发生什么情况。

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    您好、Fike、

    1) 1)当 MCU 正在写入或擦除闪存、并且电源电压 DVCC 降至 SVSH_IT-以下时、将发生 POR。 请参阅用户指南 slau208q 中的图2-4。 如果发生内存擦除、则闪存损坏。  

    2) 2)如果 SVS 被禁用、并且 DVCC 降至1.8V 以下、则由于 DVCC 的最小工作电压为1.8V、闪存也会损坏。  

    此致、  

    Lixin  

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    Lixin、您好!  

    感谢您的支持!  

    为了澄清您的答案、是否正确擦除和编程/写入?  

    谢谢、  

    林赛  

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    大家好、Lindsey、  

    是的。 答案与擦除和编程/写入有关。  

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    此致、  

    Lixin  

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    Lixin、您好!  

    抱歉、我还有一个来自客户的跟进问题-  

    POR 是否会影响未被写入/擦除的存储器段?

    谢谢、  

    林赛  

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    大家好、Lindsey、  

    POR 不会影响未被写入/擦除的存储器段。 但是、如果受影响的存储器段被写入意外数据、并且该区域中的代码在损坏后运行、则可能会发生意外行为、包括写入意外数据的其他存储器段。  

    此致、  

    Lixin