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[参考译文] MSP430F6746:有关 MSP430F6xx 闪存的问题

Guru**** 2387080 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/msp-low-power-microcontrollers-group/msp430/f/msp-low-power-microcontroller-forum/590048/msp430f6746-questions-about-flash-of-msp430f6xx

器件型号:MSP430F6746

您好!

此 MSD430F6746闪存架构是否参考此应用手册?


MSP430闪存特性
网址:/www.ti.com/lit/pdf/slaa334

此致、DA

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    是的。
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    尊敬的 DA:

    您提到的应用手册很旧、因此仅提及传统的 MSP4301xx/2xx/4xx 器件、但所介绍的技术确实适用于所有 MSP430闪存器件。 您对此应用报告有什么具体问题吗?

    此致、
    Ryan
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    您好!

    客户电路板上有问题。

    Flash 的内容已经改变。
    闪存中的位已从0更改为1。
    (地区不是计划)


    这是客户提出的一个问题。

    当在闪存存储器中移除充电时、闪存的内容如何变化?
    "0"至"1" 或 "1"至"0"?

    我将答案从"0"改为"1"。
    是理解吗?

    此致、DA

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    如应用报告的第2节所示、在一个被擦除的(1)单元中、浮点栅极有一个正电荷、而在一个已编程的(0)单元中、浮点栅极有一个负电荷。
    但是 、根据 Wikipedia、已擦除的单元格未充电、因此我猜应用报告与编程状态相比意味着正。

    总之、第3.1.2节说明了这一点

    由于泄漏电流导致的单位故障显示的0错误应为1。 这些基于泄漏电流的单个位故障永远不会读取错误1、而不是预期的0。

    似乎没有硬件错误机制会导致0→1错误。

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    正如 Clemens 提到的、单个位故障会导致错误的0、应该为1 (从1到0)、而不是从另一个方向。 如果一个位已经被擦除、它将从0变为1、但是不应该由于泄漏电流或硬件故障而发生。

    请进一步说明发生此问题的应用和系统环境。 到目前为止只有一台设备显示此问题吗? 该器件已激活多长时间? 是否有可能超出存储器区域的闪存寿命?

    此致、
    Ryan
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    [引用 user="da"]

    客户电路板上有问题。

    Flash 的内容已经改变。
    闪存中的位已从0更改为1。

    [/报价]
    5xx/6xx 闪存器件有边界读取、用于检查器件是否被正确刷写。
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    您好!
    是否确定不会出现此问题(0 -> 1)?

    此闪存问题在8个月或更长时间后出现。
    包含该位的区域不会在应用程序中被重写。

    2台设备已确认同样的问题。
    许多设备未遇到此问题。

    此致、DA
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    >已擦除的电池未充电,因此我想应用报告是....

    如果它是已编程的位、那么它被充电会怎么样?

    发生问题的位不是已擦除位(1)、而是已编程位(0)。



    此致、DA
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    发生问题的位不会被重写。

    出现的区域是用作程序的区域。
    事实证明、由于正常工作的程序出现故障、因此闪存中出现问题。

    此致、DA
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    尊敬的 DA:

    从0->1开始更不寻常、因为您只能通过擦除操作执行此操作。 以下 Wiki 中列出了常见的闪存损坏原因和最佳实践: processors.wiki.ti.com/.../MSP430_Flash_Best_Practices

    您还应检查 Vcore 电平与工作频率间的关系、并确保电平一次升高一个。 过去、VCC/MCLK 违规会导致闪存损坏。 此外、SVS 是否已启用并正确设置、以确保当 Vcc 开始降至所用 Vcore 设置所需的最低电平以下时器件将捕获到该电压? 以下线程也可能包含一些有用的信息:

    e2e.ti.com/.../
    e2e.ti.com/.../19071

    此致、
    Ryan