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[参考译文] MSP430G2231:写入多于两次的闪存位置-写入0xFF 是否计数?

Guru**** 2390995 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/msp-low-power-microcontrollers-group/msp430/f/msp-low-power-microcontroller-forum/712512/msp430g2231-writing-more-than-twice-to-flash-location---does-writing-0xff-count

器件型号:MSP430G2231

SLAU144指出:

"在擦除之间、闪存字(低字节和高字节)不得写入两次以上。 否则、可能会发生损坏。"

我不太理解这意味着什么。  向某个位置写入 FF 字节是否计入两次写入中的一个、或者它是否没有任何影响?

此外、我还不明白为什么您需要向某个位置写入两次、但实际上我自己已经给出了一个示例-在固件中更改一个指向主存储器开始位置的字、然后将哪个固件作为自定义 BSL 复制到信息存储器中。  该字最初闪存为 FFFF、但随后根据芯片的内容更改为 C000、E000、F000、F800或 FC00。  但是、对闪存期间写入的初始 FFFF 进行计数、如果这甚至算作写入、那么我仍然只有两次写入、所以我认为我是可以的。  但为了便于将来参考、我想知道规则的实际含义。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    写入操作会将编程电压应用于闪存单元、而不管实际值是多少。 因此、对字的任何写入都很重要。
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    嗯、对64字节块编程所花费的时间有一个限制、我认为这通常是10ms。  但是、您可以在比这短得多的时间内写入单个位置三次。  因此 、擦除之间写入的两倍限制似乎涉及其他一些因素。

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    那么、您需要整合逻辑来处理这种情况。