我 的目标是移除当前的 ADC 并改用 MSP430 ADC、因为我已经在电路板上安装了它。 它 将被设置为在电桥配置中测量热敏电阻。 我想对其进行设置、以便将 DVCC 用作基准、因为根据规格、使用内部基准时的增益误差为2LSB、而使用内部基准时的增益误差为3%。 该电桥还将由来自 同一 LDO 的 DVCC 供电、这应消除由于 DVCC 变化而导致的误差。 我是否理解了在该器件上使用 DVCC 作为基准会导致更好的增益误差？
这个 MSP430上的 ADC 具有比我之前的 ADC 更好的增益、但是偏移不是(在 MSP430上为1LSB vs 6.5mV 或者~2 LSB)。 从而使高温(较低的热敏电阻电压)转换变得更糟糕。 我已经阅读了 TI 的应用手册《使用 MSP430FR4xx 和 MSP430FR2xx ADC 进行设计》、并在第5章的注释中写道 、通过使用 TLV 进行校准、ADC 增益和偏移可分别提高到0.5LSB。 但是、本章的标题对我来说有点令人困惑、因为 在我看来、它仅指 VREF 和内部温度传感器。 我希望 TI 能够澄清、如果我针对热敏电阻测量进行校准、我是否会看到同样的改进？
我也无法将信号缓冲到 ADC、您是否预见到这方面的任何问题？
除此之外、我还有关于 ADC 规格的其他问题、希望 TI 能帮我解决。
1. TLV 校准 盖是否适用于整个工作温度？
2.我在 TLV 表中看到了增益和偏移各有两个地址。 我是否必须将这两个值组合在一起以形成正确的校准常数？ (例如、增益系数为1A16h 和1A17h。)
如果我必须使用内部基准进行转换、校准后增益误差是否也会从3%提高到0.5LSB？
4.我之前提到的应用手册指出、增益/误差的改善仅在室温下进行。 在室温之外操作时出现什么错误？ 增益/误差漂移误差是多少？
