[参考译文] MSP430F2272：针对预编程器件的回流焊指南、查看回流后的闪存不稳定性

您好、Britta、

我是 Gunter 提到的客户。 所涉及的部件是在高速拾放机的基础上构建的、这些机器专为电子组件而设计。 合同制造商有一个包括 ESD 实践的 ISO 系统、并定期进行审计。 据我所知、他们  在合规性方面拥有出色甚至不是无可挑剔的记录、因此 我不认为 SMT 组装 ESD 保护中的系统故障可能 是我问题的根源。 作为这方面的进一步简单证据、同一个汇编侧还有许多其他器件 、它们对 ESD 事件更加敏感 、没有现场故障。

我担心的原因是 MSP430F2272在分配时进行了预编程、然后进行回流焊接。  当它们到达  我的工厂进行 最终组装时、我们会在闪存中重新写入所有 内容、但闪存的一个扇区除外、该扇区决定它是否可以引导另一个扇区、或者它是否必须在引导前复制板载备份。 我们在现场部署的单元中看到了闪存这一领域的一些内存损坏示例。

作为一个背景、我在现场的意思是： 在这里通过4个不同的过程对部件进行测试 、一个在-45C、 一个在+70C。这些部件通过 多个电源周期进行网络插入和移除。 我们的终端客户在接收和部署之前重新测试设备。  上述  所有 测试完成后、发生故障的设备将会发生故障、并且设备将部署在偏僻的地方。 所有器件均在2018年4月至6月期间回流焊 、最初编程时间不会早于2017年12月。   故障中似乎没有批次或序列号(按顺序发出)相关性。

我知道这里提出的问题：

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/msp430/f/166/p/60886/861606

我 的 MSP430F2272电路 有一个 TPS3808复位监控器、这似乎 是 针对所提出问题的修复方法。

此时、我将尝试排除这种损坏的所有可能来源。  我知道预编程是一种常见的做法、但我想知道的是、TI 的指定数据保留在单次红外回流焊周期后仍然适用、或者我们必须重新写入 闪存内容以刷新保留吗？

作为这方面的后续行动，这是否也适用于 INFOA 中的 TLV 结构？

我没有注意到应用手册或系列用户指南或数据表中有关回流后闪存保留的规格、如果您可以将我定向到一个、这可能就足够了。

感谢您在这一问题上的考虑、

-Jesse

您好、Britta、

1) 1)我的应用是户外的、因此我确实看到了相对较大的温度范围。  系统由两种主要类型的设备组成、一种是电源接收设备、一种是电力输送设备、电源接收设备输出功率传输设备的比率为7：1。此 特定安装中的电源接收设备在盒内的30°C 至70°C 之间运行、 由 MSP430中的内部温度传感器测量。 电力输送单元的运行温度最高可高30°C、最大输出温度约为100°C。 在设备离开设备之前、我们在室温下对所有设备进行单点校准、因此测量不是非常精确、但它提供了相当好 的滚珠峰近似值、因为有成千上万的设备读取类似的数字。  尽管如此、 我也可以使 实验室中的测试设备在20°C 时失效、因此我不会过于希望应用温度是问题的根源。

2) 2)在我的下一个发言之前、请允许我说、读出和处理所有故障器件是一个非常耗时的过程、因此我只有 一个具有代表性的故障器件总数样本。 在每种情况下，该位都从0变为>1，在大多数情况下，故障是多个字中的单个位，通常每个扇区少于10个字，有时某个扇区的大部分为1。 在所有预编程存储器位置损坏的情况下、我都记录了(仅一个扇区)它的单个位、以多个字表示。 到目前为止、我注意到该区域的所有故障都已出现在电源接收盒中。

3) 3)使用 BPM Microsystems 编程器对器件进行预编程(www.bpmmicro.com)我不确定是哪种型号、 但考虑 到批量编程所需的时间、 我预计将使用3xxx 或4xxx 型号、如果这有所不同、我可能会将详细信息缩减到器件的序列号。 BPM 声称他们的算法遵循 SLAU320AD。

我 的器件是通过我们的专利经销商从 TI 购买的、我不确定存储器的默认发货状态是什么、我认为是擦除的？ 我不知道 BPM 算法的确切工作方式、因此我无法评论写入之前是否执行了另一次擦除、或者是否仅检查了单元为空。 我们以前从未对器件进行过重新编程、因此我无法 直接评论擦除过程的效率。

该应用以8MHz 的频率运行、 并使用串行端口将遥测信息中继到网络处理器、因此如果时钟不是8MHz、网络处理器将无法接收遥测数据、因为它不是自动波特率、所以我不认为过时钟速率是可能的。  虽然我们只在应用程序中写入信息 B、但我们对内部闪存写入操作也有疑虑、但 我们仍然删除了代码中执行所有闪存擦除和所有闪存写入的部分、而没有成功。  然后、我们移除了网络处理器的连接到微控制器的 JTAG 端口、这没有什么帮助。 我们 删除了引导加载程序复制映像的功能、但这没有帮助。 所有这些被删除的内容、器件中的任何内容都无法以编程方式写入闪存、我们仍然会失败。 我在现场部署的单元当前已将内部闪存擦除和写入块剥离。 我没有推出阻止网络处理器 JTAG 端口或引导加载 程序的版本、因为这两个版本都可能对终端客户造成灾难性后果。 我不确定 EMV 是什么意思。

感谢您提交闪存保留应用报告、鉴于其结果、 回流焊不太可能是我的问题。 您的回答完全回答了我的问题。

您好 Jesse、

感谢您与我分享详细信息。

基于这一点，我的一些怀疑被排除了。

我看到您已经做了很多工作来排除大多数情况。 也许有必要重新查看"擦除"过程、因为您只会看到位从0翻转为1。 如果擦除时间不够、可能是电池未充满电到完全扩展、并且随着时间和温度的推移开始缓慢放电、这会在某个点导致翻转位。

[引述 user="Jesse Goetting"]您的回答完全回答了我的询问。

您是否希望获得有关此问题的进一步帮助、或者这是否意味着我应该继续并关闭此主题。 当然、您可以随时打开一个新的、以防您有其他问题。

谢谢、此致、

Britta

您可以在解析后关闭此主题。 我目前正在参与有关 JTAG 流程的另一个主题、希望它能像这个主题一样富有成效。 感谢你的帮助。