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器件型号:MSP430FR6820 您好、香榭丽舍
我们知道 FRAM 在写入次数众多的情况下具有最大的优势。
另一个 MCU 闪存器件指示每10年的写入次数。
如果可能,请告诉我们每10年的书面次数?
如果这很困难,请解释10年范围内老化的机制。
此致、
KAZ
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您好、香榭丽舍
我们知道 FRAM 在写入次数众多的情况下具有最大的优势。
另一个 MCU 闪存器件指示每10年的写入次数。
如果可能,请告诉我们每10年的书面次数?
如果这很困难,请解释10年范围内老化的机制。
此致、
KAZ
通常、闪存(或 FRAM)存储器的写入寿命实际上不受写入间隔时间的影响、因此我不理解为什么要指定该值。 (换句话说、允许的写入次数是相同的、无论它们是在10年内发生还是在任何其他时间内发生。) 10年和整个寿命是否有不同的值? 或者是否有不同的测试规格、例如更高的温度? 这是哪个特定的器件?
("10年"听起来像是数据保留持续时间、这将是不发生写入的最大允许时间(对于 FRAM、既不进行写入、也不进行读取)。