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[参考译文] MSP430FR6820：FRAM 写入时间的数量随时间的推移而老化

admin
Guru**** 2384920 points
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/msp-low-power-microcontrollers-group/msp430/f/msp-low-power-microcontroller-forum/728681/msp430fr6820-fram-number-of-writing-time-with-aging-degradation-over-time

器件型号：MSP430FR6820

您好、香榭丽舍

我们知道 FRAM 在写入次数众多的情况下具有最大的优势。

另一个 MCU 闪存器件指示每10年的写入次数。

如果可能，请告诉我们每10年的书面次数？

如果这很困难，请解释10年范围内老化的机制。  

此致、

KAZ

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    TI__Guru**** 2384920 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    通常、闪存(或 FRAM)存储器的写入寿命实际上不受写入间隔时间的影响、因此我不理解为什么要指定该值。 (换句话说、允许的写入次数是相同的、无论它们是在10年内发生还是在任何其他时间内发生。) 10年和整个寿命是否有不同的值？ 或者是否有不同的测试规格、例如更高的温度？ 这是哪个特定的器件？

    ("10年"听起来像是数据保留持续时间、这将是不发生写入的最大允许时间(对于 FRAM、既不进行写入、也不进行读取)。

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    TI__Guru**** 2384920 points
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    您好，

    此应用并非如此特殊。 他们想知道每10年的可能次数。

    数据记录显示最小耐久度为10^15个周期。 10年用例是否可以说相同的值？

    此外、请向我们提出另一个问题。 FRAM 上发生了什么类型的老化问题？

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    TI__Guru**** 2384920 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好！

    有关老化详细信息，请参阅应用手册 MSP430TmFRAM 质量和可靠性


    它还提供了有关耐久性规格的详细信息。 希望这能帮助您回答您的问题。 如果不是、请告知我们。

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    TI__Guru**** 2384920 points
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    谢谢你。

    KAZ