主题中讨论的其他器件：MSP430F6736A、 MSP430F47183、
此致、
尊敬的 TI 团队： 这是关于查询号： CS1713050、用于迁移至用于1相能量计的新芯片组 MSP43067771a/msp430f6736a。
我们计划迁移到 TI 的新芯片组、即我们当前正在使用的旧芯片组(MSP430F47183)的 MSP430F679991A。
通过在我们的1相能量计中集成 MCU、我们对芯片组进行了全面比较。 在双芯片组上执行了符合 IEC.62052-11.2003标准的硬件类型测试和等效的印度标准 IS1585/IS16444。 我们的1相能量计本质上具有两个 PCB、一个是 SMPS 板、另一个是 MCU 板。
为了进行测试、使用相同的 SMPS 板、并逐一测试 MCU 卡。
对于这两种型号、分流器和 CT 电流传感器的电气子组件是相同的。 我们将分流器用作相电流路径中的电流传感器、将 CT 用作中性电流路径中的电流传感器。
我们的观察结果如下：
01) MSP430F47183系列 MCU 卡通过了所有测试。 在能量计的相位和零线输入上进行的所有 EMI EMS 测试和35KV ESD 篡改测试。 此 MCU 卡上的仪表不受 EFT 测试(IEC61000-4-4)的影响。 而在35kV ESD 测试中也未受到干扰。
35KV ESD 测试由印度实用程序在终端输入(P_IN、N_IN、N_OUT、P_OUT)引脚上执行、持续时间为10分钟。 而且仪表在此测试期间不应挂起、如果挂起、则必须自行从挂起状态退出。 我们集成 MSP430F47183系列的能量计采用现有的屏蔽布置、不受此测试的影响。
02)使用新芯片组 MSP430F67771A 的1 Ph 能量计在 EFT 61000-4-4测试中发现故障。 在此测试期间、不应发生任何复位或挂起、仪表精度应介于+/-4%之间。 该芯片组会在测试期间复位。 然后、我们在相电流路径中用 CT 替换了分流传感器、使用 EFT 测试中通过的仪表也替换了分流传感器。 因此、我们请求 TI 团队为我们提供可在能量计中使用并联电流传感器的解决方案。 这有时是印度公用事业公司的强制性要求。 由于 CT 电流传感器可提供电隔离、因此导电 EFT 噪声不会影响抗混叠滤波器、因此精度也不会受到影响。 我们非常怀疑共模导电噪声从并联传感器到抗混叠再到控制器的 ADC 引脚来干扰 MCU。 与旧芯片组 MSP430F47系列相比、新型芯片组对噪声非常敏感。
03)在与新型芯片组 MSP430F6771A 系列集成的1PH 能量计中,在仪表终端进行了35 kV ESD 测试。 即使放电枪距离仪表端子1英尺、仪表也会立即挂起。 射频噪声会立即影响 MCU。 为了解决该问题、我们在 MCU 的 NMI 引脚使用了10nF 去耦电容器、而不是2.2nF 去耦电容器。 立即因射频噪声而挂起的问题至少得到了解决。
不过、当在能量计的输入引脚(相位和中性点)上施加35kV 导电 ESD 时。 据观察、2到3分钟后、MCU 再次挂起。 如果将分流器用作相电流路径中的电流传感器、则噪声的影响甚至会更糟。 在总持续时间10分钟内执行35kV ESD 测试
在测试过程中、新的微控制器受到了影响(同时挂起和复位)。 我们已经将 NMI 引脚配置为复位功能。
我们要求 TI 团队为我们提供有效集成新 MSP430F67771a 系列的建议、以便即使在使用分流器作为电流传感器时也能通过 EFT 和35KV ESD 测试。
我已经阅读了隔离式分流传感器的 TI 文档、但我们不想学习这些文档。 由于现有的 MSP430F47183微控制器对于这两种测试都是完全不受干扰的、因此我们同样渴望获得与 MSP430F67771a 新芯片组相同的性能。
